第二章太阳能光电材料及物理基础讲解.ppt

第二章 太阳能光电材料及物理基础 2.5 非平衡少数载流子 2.6 p-n结 2.7 金属-半导体接触和MIS结构 2.8 太阳能光电转换原理-光生伏特效应 § 2.5 非平衡少数载流子 非平衡载流子的产生、复合和寿命 非平衡载流子的扩散 非平衡载流子的运动 § 2.6 p-n结 p-n结的制备 p-n结的能带结构 p-n结的电流电压特性 § 2.6 p-n结 合金法：在一种半导体单晶上放置金属或半导体元素，通过升温等工艺形成p-n结。 § 2.6 p-n结 扩散法：在n型（或p型）半导体材料中，利用扩散工艺掺入相反类型的杂质，在一部分区域形成与体材料费相反类型的p型（或n型）半导体，从而形成p-n结。 § 2.6 p-n结 离子注入法：在n型（或p型）掺杂剂的离子束在静电场中加速，使之具有高动能，注入p型（或n型）半导体，表面区域，在表面形成与体内相反的n型（或p型）半导体，最终形成p-n结。 § 2.6 p-n结 薄膜生长法：在n型（或p型）半导体表面，通过气相、液相等外延技术，生长一层具有相反导电类型的p型（或n型）半导体薄膜，在两者的界面处形成p-n结。 § 2.6 p-n结 突变结 线性缓变结 § 2.6 p-n结 由于Ｎ区的电子向Ｐ区扩散, Ｐ区的空穴向Ｎ区扩散, 在ｐ型和Ｎ型半导体的交界面附近产生了一个电场,称为内建电场。 § 2.6 p-n结 § 2.6 p-n结 § 2.6 p-n结 § 2.6 p-n结 § 2.6 p-n结 §2.7 金属-半导体接触和MIS结构 2.7.1金属-半导体接触 2.7.2 欧姆接触 2.7.3 MIS结构 §2.7 金属-半导体接触和MIS结构 §2.7 金属-半导体接触和MIS结构 §2.7 金属-半导体接触和MIS结构 §2.7 金属-半导体接触和MIS结构 §2.7 金属-半导体接触和MIS结构 §2.7 金属-半导体接触和MIS结构 §2.7 金属-半导体接触和MIS结构 §2.7 金属-半导体接触和MIS结构 §2.7 金属-半导体接触和MIS结构 §2.8 太阳能光电转换原理—光生伏特效应 §2.8 太阳能光电转换原理—光生伏特效应 §2.8 太阳能光电转换原理—光生伏特效应 §2.8 太阳能光电转换原理—光生伏特效应 太阳能电池基本原理 1.太阳能电池 太阳能电池（Solar Cells）,也称为光伏电池，是将太阳光辐射能直接转换为电能的器件。由这种器件封装成太阳能电池组件，再按需要将一定数量的组件组合成一定功率的太阳电池方阵，经与储能装置、测量控制装置及直流--交流变换装置等相配套，即构成太阳电池发电系统，也称为光伏发电系统。 2.光伏特效应 光生伏特效应，是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电势差的现象，简称“光伏效应”。 太阳能电池基本原理 太阳能电池基本原理 当太阳光入射到太阳电池表面上后,所吸收得能量大于禁带宽度，在p-n结中产生电子-空穴对，在p-n结内建电场作用下，空穴向p区移动，电子向n区移动，从而在p区形成空穴积累，在n区形成电子积累。若电路闭合，形成电流。 感谢您的关注 Thanks for your attention！ 2.7.1 金属-半导体接触 金属和n型半导体接触前后能带的变化情况 2.7.1 金属-半导体接触 外加电场 具有整流效应 具有整流效应的金属-半导体接触，称为肖特基接触（以此为基础制成的二极管称为肖特基二极管。 2.7.2 欧姆接触 欧姆接触：在半导体器件制备过程中，常常需要没有整流效应的金属和半导体的接触。 形成欧姆接触的条件： 1） 从理论上：金属的功函数必须小于n型半导体的功函数，或大于p型半导体的功函数。 2） 半导体具有高表面态密度 2.7.2 欧姆接触 制备技术： 低势垒接触、高复合接触和高掺杂接触 金属-半导体接触 2.7.3 MIS接触 在金属和半导体之间插入一层绝缘层，就形成了金属—绝缘层—半导体（MIS)结构。 2.7.3 MIS接触 MIS 结构加上外加电场，会出现以下三种情况： 2.8.1 半导体材料的光吸收 2.8.2 光生伏特 2.8.1 半导体材料的光吸收 当入射光的能量为I0，则在离表面距离x处，光的能量为 一束光照射到物体时： 一部分入射光线在物体表面反射或散射，一部分可能透过物体。 a 为物体的吸收系数 半导体材料的吸收系数较大，一般在105cm-1以上 2.8.1 半导体材料的光吸收 1.本征吸收 2.激子吸收：价带中的电子吸收小于禁带宽度的光子能量也能离开价带，但因能量不够还不能跃迁到导带成为自由电子。这时，电子实际还与空穴保持着库仑力的相互作用，形成一个电中性系