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SiC Signal Crystal Report 碳化硅Technology Process Acheson法：在两碳电极间放入石英砂和木屑、锯末等, 通气、通电后, 这些物质间反应生成SiC单晶。 Acheson method： Lely法：通过加热装满SiC 颗粒的反应器至2550摄氏度 , 并在反应器中不断通入Ar气, 发现SiC 在气相中成核, 并生长成晶体1 这种生长SiC 单晶的方法 Lely method： 物理气相传输法( Physical Vapour Transition 简称PVT法) 该方法是将SiC 晶种放在一个含SiC 粉源的坩埚里, 坩埚通过中频感应或电阻炉加热, 使温度达到2000摄氏度以上, 在源或晶种之间通过温度梯度引起Si 或C 样本传输到晶种的表面。PVT 法和Lely 的显著不同之处在于PVT法使用了晶种, 晶体生长过程中可控制因素较多, 适用于生长大尺寸SiC 单晶。 PVT method: 碳化硅（SiC）是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓（GaAs）后发展起来的第三代半导体材料。由于SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度等特点，使得它军用和航天领域的高温、高频、大功率光电器件方面具有优越的应用价值，并逐步取代现有的硅和砷化镓基光电器件。SiC is the third generation of semiconductor materials after the development of its first and second generations of semiconductor materials, GaAs. . Because SIC has such features as wide band gap, high critical breakdown electric field, high load saturated density of particle flow, it has a predominant applicable value in military and astronautical field, especially in the photoelectric components with the properties of high temperature, high frequency and high power, and gradually replaces the components made from modern silicon and GaAs. 市场分析：由于SiC晶体生长难度大，造成SiC晶体生长产业化进展缓慢。经过数十年的研究和发展，在全球范围至今只少数的研究机构和几个半导体公司掌握这项技术。整个碳化硅市场应用前景主要集中在5大领域:航天军工、新能源汽车、智能电网、LED、节能电器等近年复合增速有30-50％的增长率,基于碳化硅（SiC）高功率收/发模块,由于其耐热性提高,SiC能提供比通常采用的材料更高的功率,因此雷达探测距离更远,目标分辨率更高,目标识别更精确。家用电器方面,我们看到项目上的最快的是三菱,其他的包括松下、东芝等也都大规模扩大生产线,生产节能型微波炉、冰箱、空调等能所用芯片,能够大幅度提高节能效率达20-30％;而混合动力汽车市场方面预计3-5年之后增长率也会有大幅提高 ,我们预计2019年会比现在需求量要翻十倍以上。　目前，全球碳化硅晶片生产技术主要掌握在以CREE、II-VI、Dow Corning为代表的少数几家美国企业手中，上述三家美国企业合计占据了全球90%以上的碳化硅晶片市场份额。其中，仅CREE公司就占据了全球碳化硅产量的85%。据悉，CREE公司碳化硅产品的毛利率一直维持在50%左右，最高时达到52%，但目前有所下降。Market Analysis: the growing difficulty of SIC crystal leads to slow developments in the SIC crystal industrialization. Through more than 10-year researches and developments, there are few research institutes and Semiconductor companies obtaining the technologies worldwide. The whole applicable market prospects of SIC focus on 5 fields: astronautical war ind