薄膜物理(终).docVIP

填空： 物理气相沉积过程可以概括为从原材料中发射出粒子；粒子运输到基片；粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜三个阶段。 真空蒸发系统一般由真空室；蒸发源或蒸发加热装置；放置基片及给基片加热装置三个部分组成。 表征溅射特性的主要参数有溅射阈值、溅射率、溅射粒子的速度和能量等。 用于射频溅射的频率一般为13.56MHz。 5、薄膜制备的化学方法是以一定的化学反应为前提的，这种化学反应可以是由热效应引起的或者由离子的电致分离引起，常见的薄膜化学制备方法有热氧化生长、光化学气相沉积、热丝化学气相沉积等。 6、在不同真空条件下，分子的运动性质各不相同，如：粗真空条件下（≥102Pa），分子以（?? ?热????）运动为主，分子之间的碰撞十分频繁；低真空条件下（10 2~10 -1 Pa），气体分子的流动逐渐由?（??粘滞流?）状态向（?分子??）状态过渡，此时分子之间及分子与器壁之间的碰撞次数在数量上(?差不多?)；高真空条件下（10-1~10-6 Pa），气体分子的流动为分子流，分子碰撞次数大大减少，分子将沿?(?直线)飞行；超高真空时（≤0-6 Pa），气体分子数目更少，几乎不存在分子间和器壁之间的碰撞。 辨析： PVD与CVD比较 化学气相沉积方法得到的薄膜材料是由反应气体通过化学反应而实现的，其对反应物和生成物的选择具有局限性；化学反应需要在较高的温度下进行，基片所处环境的温度一般较高，因此限制了基片材料的选取。 物理气相沉积方法不发生化学反应且对沉积材料和基片材料没有限制；但是其对真空度的要求比较高，相比于化学气相沉积，薄膜的生长速度较慢。 溅射与真空蒸发 溅射：在某一温度下，如果固体或液体受到适当的高能粒子（通常为离子）的轰击，则固体或液体中的原子通过碰撞有可能获得足够的能量从表面逃逸，这一将原子从表面发射出去的方式称为溅射。 真空蒸发：待蒸发材料在真空中被加热蒸发转变为气相。 同：都在真空中进行 异：蒸发制膜是将材料加热汽化溅射制膜是用离子轰击靶材，将其原子打出。 三级溅射、射频溅射、交流溅射 电阻真空计和热偶真空计 答：电阻真空计是热传导真空计的一种，它是利用测量真空中热丝的温度，从而间接获得真空度的大小，真空室的压强随灯丝电阻的升高而下降。其测量真空的范围为。 热偶真空计是由加热灯丝和用来测量热丝温度的热电偶组成，当气体压强降低时，热电偶接点处的温度将随热丝温度升高而增大，热电偶冷端的温差电动势将增大，间接测出真空度。其测量真空范围为。 异：测量范围不同；测量的原理不同。 同：都需要测气体压强的变化的关系从而得到真空度。 简答题： 列举常见的溅射装置 辉光放电直流溅射、三级溅射、射频溅射、磁控溅射、对靶溅射、离子束溅射、反应溅射、交流溅射。（8个） 2、简述PECVD技术中等离子的作用，并列举该技术中产生等离子的主要方法（至少三种）。 答：等离子体的基本作用是促进化学反应，在等离子体中电子的平均能量足以使大多数气体电离或分解。 产生等离子的主要方法：微波受激产生、射频场产生、直流产生。 3、简述旋片式机械真空泵的结构和工作过程 答：旋片式机械真空泵的泵体由定子、转子、旋片、进气管和排气管等组成，并用油来保持各运动部件之间的密封。定子两端被密封形成一个密封的泵腔，腔内，偏心地装有转子，沿转子的轴线开一个通槽，槽内装有两块旋片，中间用弹簧连接，弹簧使转子旋转时旋片始终沿定子内壁滑动。工作时：旋片将泵体分为两部分，旋片沿着一定的给进方向旋转，当旋片1后的空间压强小于进气口压强时，吸进气体，吸气量达到最大时吸气截止，气体开始压缩，旋片1后的空间压强逐渐增大，当压强大于1个大气压时，气体推开气阀门排出气体，继续转动循环吸气、排气过程。 4、简述磁控反应溅射过程，并描述溅射过程中出现哪些情况可以说是发生了靶中毒情况 答：靶中毒：溅射过程中，带正电的离子聚集在靶表面，没有得到中和，出现靶表面负偏压逐步下降，最后停止工作。 中毒现象：1、在溅射过程中，溅射速度突然急剧下降（正离子堆积，使阴极溅射无法进行下去） 2、接地的真空室壁上沉积了一层绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，造成阳极消失现象。3、溅射电压明显降低4、腔内真空度降低 5、简述化学气相沉积的一般过程。 答：化学气相沉积一般涉及三个基本过程：反应物的输运过程，化学反应过程，去除反应副产品过程。 7、简述薄膜的主要生长模式，及每类生长模式各自出现的条件及特点。 答：薄膜的主要生长模式分为：岛状生长型，层生长型，层岛生长型。 岛状生长型：特点：到达衬底上的沉积原子首先凝聚成核，后续飞来的沉积原子不断聚集在核附近，使核在三维方向上不断长大而最终形成薄膜。生成条件：在衬底晶格和沉积膜晶格不相匹配（非共格）时或当核与吸附原子间的结合能大于吸附原子与基体的