四种典型全控型器件比较材料.doc

四种典型全控型 器件的比较 四种典型全控型器件的比较 对四种典型全控型器件的介绍 1、GTO) 1）GTO的结构与工作原理 芯片的实际图形 GTO结构的纵断面 GTO结构的纵断面 图形符号 GTO的内部结构和电气图形符号 2）(2较大，使晶体管V2控 制灵敏。导通时(1+( 2= 1.05更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。下图为工作原理图。 2222 2、(GTR) 1） 内部结构 电气图形符号 NPN型电力晶体管的内部结构及电气图形符号 2） 在电力电子技术中，GTR主要工作在开关状态。晶体管通常连接成共发射极电路，GTR通常工作在正偏(Ib＞0Ib＜0 1）电力MOSFET的结构 MOSFET元组成剖面图 图形符号 电力MOSFET采取两次扩散工艺，并将漏极D移到芯片的另一侧表面上，使从漏极到源极的电流垂直于芯片表面流过，这样有利于减小芯片面积和提高电流密度。 2) 电力MOSFET的工作原理： 当漏极接电源正极，源极接电源负极，栅源极之间电压为零或为负时，P型区和N-型漂移区之间的PN结反向，漏源极之间无电流流过。如果在栅极和源极间加正向电压UGS，由于栅极是绝缘的，不会有电流。但栅极的正电压所形成的电场的感应作用却会将其下面的P 型区中的少数载流子电子吸引到栅极下面的P型区表面。当uGS大于某一电压值UGS(th)时，栅极下面的P型区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型反型成N型，沟通了漏极和源极。 此时，若在漏源极之间加正向电压，则电子将从源极横向穿过沟道，然后垂直(即纵向)流向漏极，形成漏极电流iD。电压UGS(th)称为开启电压，uGS超过UGS(th)越多，导电能力就越强，漏极电流iD也越大。 4、绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1）基本结构 内部结构 简化等效电路 电气图形符号 PNP晶体管与N沟道MOSFET组合而成的IGBT称为N沟道IGBT，记为N-IGBT。对应的还有P沟道IGBT，记为P-IGBT。N-IGBT和P-IGBT统称为IGBT。由于实际应用中以N沟道IGBT为多。 对四种典型全控型器件进行容量及频率比较 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。目前，GTO的容量水平达6000A/6000V、 1000A/9000V ，频率为1kHZ。 GTR是一种电流控制的双极双结大功率、高反压电力电子器件，具有自关断能力，其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。　电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。IGBT属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。IGBT GTR GTO 电压/V 1000 2500 1800 6000 电流/A 100 1000 400 6000 工作频率由高到低 器件名称 电力MOSFET IGBT GTR GTO 开关频率 3M 50K 30K 10K 对四种典型全控型器件进行驱动方式及驱动功率比较 1、门极可关断晶闸管(GTO) 对门极驱动电路的要求： 1）正向触发电流iG。由于GTO是多元集成结构，为了使内部并联的GTO元开通一致性好，故要求GTO门极正向驱动电流的前沿必须有足够的幅度和陡度，正脉冲的后沿陡度应平缓。 2）反向关断电流﹣iG。为了缩短关断时间与减少关断损耗，要求关断门极电流前沿尽可能陡，而且持续时间要超过GTO的尾部时间。还要求关断门极电流脉冲的后沿陡度应尽量小。 GTO的驱动电路： 小容量GTO门极驱动电路 较大容量GTO桥式门极驱动电路 2、电力晶体管(GTR) 1）对基极驱动电路的要求： ①由于GTR主电路电压较高，控制电路电压较低，所以应实现主电路与控制电路间的电隔离。 ②在使GTR导通时，基极正向驱动电流应有足够陡的前沿，并有一定幅度的强制电流，以加速开通过程，减小开通损耗