第一章半导体中的电子态.pptVIP

晶体中电子的能量E和波失k的关系曲线基本和自由电子的关系曲线一样，但在 时，能量出现不连续，形成了一系列的允带和禁带。 每一个布里渊区对应于一个允带 禁带出现在 处，即出现在布里渊区边界上 半导体中的电子分布 由（3）式可以见到： (a) 对于能带顶的情形，由于E(k)E(0),故 mn*0; (b) 对于能带底的情形，由于E(k) E(0),故mn*0. * 导体 半导体 绝缘体 有未被填满的价带。 价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带， 且禁带宽度较大。 价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带， 但禁带宽度相对较小。 * 半导体导电机理 电子由价带激发到导带时，导带中的电子和价带中的空穴参与导电。 * 1.4 回旋共振及n型硅的实验结果 * 1.4.1 k空间等能面方程 1.4.1 k空间等能面方程 * 1.4.1 k空间等能面方程 * 1.4.2 回旋共振的原理 基本原理 将半导体样品置于均匀的磁场中，同时对半导体加上交变电磁场。当电磁场的角频率等于半导体中电子回旋共振的角频率时，可以观察到半导体对交变电磁场能量的吸收峰。由于电子回旋频率与电子的有效质量有一定的关系 ，从中可以测得电子的有效质量。 * 1.4.2 回旋共振的原理 设磁感应强度为B，电子运动初速度为v, v与B的夹角为?。则电子受到的磁场力为： 即电子沿磁场方向以 作匀速直线运动，而在垂直于磁场方向以速率： 作匀速圆周运动。其轨迹为一螺旋线。设圆周运动半径为r，回旋频率为?C=qB/m*n * 1.4.2 回旋共振的原理 考虑一般情形,即晶体各向异性，等能面为椭球面. 分量形式: * 1.4.2 回旋共振的原理 电子的运动方程为： 电子应作周期性运动，取试探解： 代入运动方程，得： * 1.4.2 回旋共振的原理 要使v’x、v’y、v’z有非零解条件，系数行列式必须为零，即： 解得电子的回旋频率为: * 1.4.2 回旋共振的原理 其中： 为磁场B沿 轴的方向余弦。 称为回旋质量 * 此时若给样品加一频率为?的交变磁场，当 时，发生共掁吸收。从而计算出有效质量mn*。 若等能面为球面,则 * 1.4.3 N型硅导带的回旋共振实验结果 若B沿[111]晶轴方向时，一个吸收峰； 若B沿[110]晶轴方向时，两个吸收峰； 若B沿[100]晶轴方向时，两个吸收峰； 若B沿晶轴的任意方向时，三个吸收峰。 这说明硅导带底附近的等能面不是各向同性的球形等能面。 * 1.4.3 N型硅的回旋共振实验结果解释 假设硅导带底附近等能面是沿[100]方向的旋转椭球面，椭球长轴沿该方向，且能量极小值不在k空间的原点。则由晶体的对称性，共有六个对称的椭球等能面。如右图所示。 * 1.4.3 N型硅的回旋共振实验结果解释 若只考虑其中一个等能面(如[001]上的一个)时， 并选取Ec=0，以及k0S 为坐标原点，坐标轴的选取如右图所示。 显然，k1，k2有相同的有效质量，称为横向有效质 量，可表示为： * 1.4.3 N型硅的回旋共振实验结果解释 沿k3轴的有效质量，称为纵向有效质量，即 于是，该椭球的等能面方程为： 对其他五个椭球面也可以写出类似的方程。 如果k1，k2轴选取恰当，可使计算简单。选取k1使B位于k1轴和k3轴所组 成的平面内，且与k3轴交角为θ，则在这个坐标系里，B的方向余弦为： * 1.4.3 N型硅的回旋共振实验结果解释 可得到： 代入 因此，只要找出磁场B与6个100方向(6个椭球长轴方向)的夹角，即可找到吸收峰的个数。 （1）当磁场沿[111]方向，B与6个100方向的夹角均给出： 故只有一个吸收峰。 因此，只有一个有效质量值，即： 1.4.3 N型硅的回旋共振实验结果解释 * 故有两个吸收峰。 1.4.3 N型硅的回旋共振实验结果解释 * 和 故有两个吸收峰。 1.4.3 N型硅的回旋共振实验结果解释 * （4）当磁感应沿任意方向时，B与6个100方向的夹角可以给出三种不同的cosθ的值，对应三个有效质量，因此可以观察到三个吸收峰。 4K时n型硅对23GHz微波吸收的实验结果 由实验数据获得: 1.4.3 N型硅的回旋共振实验结果解释 粒子的能量E和动量p与平面波的频率和波长 之间的关系为： * 式中： 称为波数， 为普朗克常数。 德布罗意平面波： 1.2.2 半导体中电子的状态和能带 De Broglie关系 * 波函数的统计解释 假设波函数 用以表示粒子的状态，并以dW（x,y,z,t）表示时刻t、在点（x,y,z) 附近的体积元