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第7章 80C51片外扩展 第7章 80C51片外扩展 ⑶ 控制总线(CB)： ① 地址线、数据线仍按80C51一般扩展ROM时方式连接， 高位地址线视RAM芯片容量，6116需3根，6264需5根。 ② 片选线一般由80C51高位地址线控制，并决定RAM的口地址。 6264有2个片选端只须用其一个，一般用 ，CE2直接接VCC。 按图7-5，6116的地址范围是7800H～7FFFH； 按图7-6，6264的地址范围是6000H～7FFFH（无关位为1）。 ③ 读写控制线由80C51的 、 分别与RAM芯片的 、 相接。 ⑵ 读操作格式 其中， 灰色部分由80C51发送，AT24CXX接收； 白色部分由AT24CXX发送，80C51接收。 SLAR为读AT24CXX寻址字节，A2A1A0接地时， SLAR =A1H； SADR为读AT24CXX片内首地址； data1～dataN为AT24CXX读出数据。 读出操作，分两步进行： 先发送读出单元首地址SADR， 然后重新启动读操作。 调用时，应给形参b[ ]、n、sadr赋值。 其中，b[ ]为80C51接收数据数组； n为接收数据字节数； sadr为AT24CXX读出单元首地址。 * 第3版 —双解汇编和C51程序 配套免费下载的单片机实验仿真50例 50例全部取自于本书中例题和习题 机械工业出版社同名教材配套电子教案 张志良主编 Email：zzlls@126.com 80C51系列单片机有很强的外部扩展能力。 外部扩展可分为并行扩展和串行扩展两大形式。 早期的单片机应用系统以采用并行扩展为多， 近期的单片机应用系统以采用串行扩展为多。 外部扩展的器件可以有ROM、RAM、I/O口和其他一些功能器件， 扩展器件大多是一些常规芯片，有典型的扩展应用电路， 用户很容易根据规范化电路来构成能满足要求的应用系统。 7.1 ?并行扩展 数据传送:由数据线DB（D0～D7）完成； 交互握手:由控制线CB（PSEN、WR、RD、ALE、EA）完成。 单元寻址:由地址线AB（A0～A15）完成； 7.1.1 并行扩展慨述 ⑵ 数据总线(DB)： 数据总线由P0口提供，其宽度为8位。 ⑴ 地址总线(AB)： 80C51控制总线，有以下几条： ⒈ 并行扩展总线组成 地址总线由P0口提供的低8位地址线A0～A7和 P2口提供的高8位地址线A8～A15组成。 WR：输出，用于写外RAM选通， 执行MOVX写指令时，WR会自动有效， 与外RAM写允许端WE连接。 ① ALE：输出，用于锁存P0口输出的低8位地址信号， 与地址锁存器门控端G连接。 ② PSEN：输出，用于外ROM读选通控制， 与外ROM输出允许端OE连接。 ③ EA：输入，用于选择读内/外ROM。EA=1，读内ROM；EA=0，读外ROM。 ④ RD：输出，用于读外RAM选通， 执行MOVX读指令时，RD会自动有效， 与外RAM读允许端OE连接。 ⑥ P2.X：并行扩展外RAM和I/O时，通常需要片选控制， 一般由P2口高位地址线担任。 可分别扩展64KB ROM（包括片内ROM）和64KB外RAM。 ⒉ 并行扩展容量 低位地址线A0～A10实现片内寻址。 高位地址线A11～A13实现片选 （A11～A13中只允许有一根为低电平， 另二根必须为高电平，否则出错）。 无关位A14、A15可任取，一般取“1”。 线选法 缺点：①芯片地址空间不连续； ②存在地址重叠现象。 线选法优点：连接简单； 适用于扩展存储容量较小的场合。 存储器内存储单元的子地址，由与存储器地址线直接连接的低位地址线确定； 存储器的芯片地址由高位地址线产生的片选信号确定。 ⒊ 并行扩展寻址方式 7.1.2 并行扩展外ROM ⑴ 地址线：① 低8位地址：由80C51 P0.0～P0.7与74373 D0～D7连接，ALE有效时， 74373锁存该低8位地址，并从Q0～Q7输出，与EPROM芯片低8位地址A0～A7相接。 ② 高位地址： 视EPROM芯片容量大小。2764需5位，P2.0～P2.4与2764 A8～A12相连； 27128需6位，P2.0～P2.5与27128 A8～A13相连。 ⑵ 数据线：由80C51地址/数据复用总线P0.0～P0.7直接与EPROM