第章半导体器件.pptVIP

u uG 0 t 0 t uo 0 t uT1 u uG t1 t2 io io uo ? ? 当u为负半周时。T2和D1承受正向偏压。在t2时刻对晶闸管T2加入触发电压，则T2和D1导通，形成输出电压uo（仍为上“＋”下“－”）。此时T1和D2承受反向偏压而截止。 RL a u ~ ? + + ? T1 T2 D1 D2 b uo io 2. 单相半控桥式整流电路 整流电路接电阻性负载时的输出电压平均值为 输出电流平均值为 整流元件中流过电流的平均值为 晶闸管和二极管所承受的最大正向电压和反向电压 均为 ????? （2）电感性负载 单相半控桥电感性负载整流电路 uo io RL u ~ ? + + ? T1 T2 D1 D2 L D u 0 t 0 t uo u uG t1 t2 io io uo ? ? u uG 晶闸管和二极管所承受的最大正向电压和反向电压 均为 uo平均值 负载电流Io的平均值仍为 由以上分析可以看出控制角?增大，输出电压平均值减小，控制角?减小，输出电压平均值增加。改变控制角?，就改变了输出电压的大小。 [例] 单相半控桥电阻性负载整流电路，若RL＝10?，U＝90V，试求?＝30?时，整流电压平均值Uo和整流电流平均值Io及整流元件所承受的最大反向电压。 最大反向电压 [解] 晶闸管是工作在开关状态，存在着产生高电压，大电流冲击的可能，因此要在电路中加入保护环节，避免造成晶闸管的损坏。对晶闸管的保护主要有过电流和过电压保护。 （1）过电流保护 ? 快速熔断器。快速熔断器采用银质熔丝以保证在电流发生过载或短路时在短时间内及时切断电路，保护晶闸管不被损坏。快速熔断器可与被保护元件串联连接。 ?过电流继电器。 过流继电器只对电路过载时起保护作用，过流继电器通常串联接在输入端或输出端。 3. 晶闸管的保护 ?过电压保护。 引起过电压的原因是在具有电感元件的电路中，当切断电路时，电路中电感元件会产生高电压，极易引起晶闸管的损坏。阻容保护是经常采用的一种过压保护措施，它是由电阻与电容的串联来吸收过电压，使元件上电压上升速度减慢。 RL R C L C C R R C R C R 晶闸管过压保护电路 D1 D2 T1 T2 除了在晶闸管的阳极与阴极之间加正向电压外，还必须在控制极与阴极之间加触发电压，才能使晶闸管导通。提供触发电压的电路称为触发电路，所需触发电压是一系列的触发脉冲信号。对触发电路的要求如下： 1.6.3 晶闸管的触发电路 （1）有足够的触发功率。一般触发电压为4~10V，触发电流为数十至数百毫安。 （2）有足够的触发脉冲宽度，通常大于10?s。并且触发电压波形的前沿要陡直。 （3）触发时间要准确，并与整流电路的交流电源同步。 （4）触发电压能在足够宽的范围内平稳移动。 1.单结晶体管的结构及工作原理 单结晶体管符号 B2 P N B1 E D RB2 RB1 B2 B1 E B2 B1 E 在一块N型半导体上制成一个PN结，从P区引出发射极E，从N型半导体两端引出两个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2 B1和B2两个基极与N型半导体间有几千欧的电阻，发射极对B1B2均形成PN结，PN结可等效为二极管D。基极B1与N型半导体间的电阻为RB1，RB1是一个可变电阻，基极B2与N型半导体间的电阻为RB2。 单结晶体管 单结晶体管等效电路 0 IE UE P 截止区 导通区 UP V UV IP IV UEE D RB2 RB1 B2 B1 E + - - + UBB UE R A IE 工作原理 ?称为单结体晶管的分压比，一般在0.3~0.9之间。若UE?VA＋UD，PN结处于反向偏置，单结晶体管的发射极电流IE?0，单结晶体管处于截止状态。当升高UE使UE＝UP＝VA＋UD，PN结进入导通状态，UP为单结晶体管的峰点电压，对应的发射极电流IP为峰点电流。 A点电位为： 0 IE UE P 截止区 导通区 UP V UV IP IV UEE D RB2 RB1 B2 B1 E + - - + UBB UE R A IE 工作原理 当UE?UP后，PN结正向导通，IE显著增加，但由于RB1随着PN结的导通而急剧下降，使VA下降，从而导致UE下降，这种UE下降而IE增加的现象称为负阻现象。当UE下降到某一值（UV）时，PN结将自动关断，UV称为谷点电压，对应的IE电流为谷点电流IV。 当单结晶体管的发射极电压UE≤UP时，单结晶体管截止（工作在截止区）；