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第章半导体物理和器件物理基础
晶格散射 晶格散射是由晶格振动,也就是热运动引起的载流子散射。因此,温度越高,晶格振动越剧烈,更加阻碍了载流子的运动,迁移率下降。 电离杂质散射 pn结的基本结构 英文缩写:FET (field-effec-transistor) 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件,从制做工艺的结法上分为两大类型: 第一类:结型场效应管(Junction FET) 第二类:绝缘栅型场效应管 (Insulated Gate FET) 又称:金属一氧化物一半导体型 (metal-oxide- semiconductor FET); 简称 MOS型场效应管。 MOS场效应管的分类 MOS管又分为 增强型(EMOS) (enhancement MOS) 耗尽型(DMOS) (depletion MOS ) 每一种又有 N沟道型 P沟道型 所以一共有四种: N沟道增强型(NEMOS) P沟道增强型(PEMOS) N沟道耗尽型(NDMOS) P沟道耗尽型(PDMOS) 非饱和区 饱和区 截止区 亚阀区 2、N沟道耗尽型场效应管的特性曲线 Pn结 pn结是大多数半导体器件都会涉及到的结构。因而半导体器件的特性与工作过程同pn结的特性和原理密切相关。因而pn结对于半导体器件的学习是特殊重要的。在pn结基本结构和原理的学习过程中,我们会遇到一些非常基本和重要的概念,是以后的学习过程中会不断提到的,因而一定要理解这些概念的物理涵义和基本性质。 pn结 (junction) 若在同一半导体内部,一边是P 型,一边是N 型,则会在P 型区和N 型区的交界面附近形成pn 结,它的行为并不简单等价于一块P型半导体和N 型半导体的串联。这种结构具有特殊的性质:单向导电性。PN 结是许多重要半导体器件的核心。 内电场E ?因多子浓度差 ?形成内电场 ?多子的扩散 ?空间电荷区 ?阻止多子扩散,促使少子漂移。 PN结合 空间电荷区 多子扩散电流 少子漂移电流 耗尽层(depletion layer) PN结及其单向导电性 1 . PN结的形成 少子飘移 补充耗尽层失去的多子,耗尽层窄,E 多子扩散 又失去多子,耗尽层宽,E 内电场E 多子扩散电流 少子漂移电流 耗尽层 动态平衡: 扩散电流 = 漂移电流 总电流=0 2. PN结的单向导电性 (1) 加正向电压(正偏)(forward bias) ——电源正极接P区,负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场 →耗尽层变窄 →扩散运动>漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F 正向电流 (2) 加反向电压(反偏) (backward bias) ——电源正极接N区,负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场 →耗尽层变宽 →漂移运动>扩散运动 →少子漂移形成反向电流I R P N 在一定的温度下,由本征激发产生的少子浓度是一定的,故IR基本上与外加反压的大小无关,所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。 PN结加正向电压时,具有较大的正向扩散电流,呈现低电阻, PN结导通; PN结加反向电压时,具有很小的反向漂移电流,呈现高电阻, PN结截止。 由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。 3. PN结的伏安特性曲线及表达式 根据理论推导,PN结的伏安特性曲线如图 正偏 IF(多子扩散) IR(少子漂移) 反偏 反向饱和电流 反向击穿电压 反向击穿(breakdown) 热击穿——烧坏PN结 电击穿——可逆 4. PN结的电容效应 当外加电压发生变化时,耗尽层的宽度要相应地随之改变,即PN结中存储的电荷量要随之变化,就像电容充放电一样。 (1) 势垒电容CB (2) 扩散电容CD 当外加正向电压 不同时,PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同,这就相当电容的充放电过程。 电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来 极间电容(结电容) PN结的应用 根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管
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