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半导体清洗液报告
半导体用清洗液 王林申 2011.01.07 报告目的 对高级清洗的认识：厂房前端的清洁度是十万级的，前玻璃经过初级清洗镀电池组件的前电极TCO，划刻P1后，前电极表面会有残留的TCO颗粒，之后进行高级清洗，我们目前认为高级清洗只需要清洗掉TCO颗粒就不会对电池组件的功率有影响(TCO颗粒影响组件Rsh)。以上是对高级清洗作用的认识，但是没有实验或者这方面的资料无法判断这个认识的正确性。 报告目的：为了积累高清对组件功率影响方面的知识，从而提高高清的可控性，这个报告收集了一些半导体清洗技术和原理资料，希望对我们理解高清有一些帮助。 提纲 超声清洗原理 半导体清洗技术RCA 半导体清洗液成分 产线高级清洗初步分析 超声清洗原理 由超声波发生器发生的高频振荡信号，通过换能器转换成高频机械振荡而传播到介质—清洗溶剂中，超声波在清洗液中疏密相间的向前辐射，使液体流动而产生数以万计直径为50到500微米的气泡，这些气泡在超声波纵向传播的负压区形成、生长而在正压去迅速闭合，这个过程称为“空化”效应。气泡闭合可形成瞬间高压，连续不断的气泡闭合产生连续不断的瞬间高压就像一连串的“爆炸”，不断的冲击物体表面，使物体表面及缝隙之间的小颗粒和污垢迅速剥落，从而达到物体表面净化的目的。 半导体清洗技术RCA简介 1970年美国RCA实验室提出浸泡式RCA化学清洗工艺以来，RCA在硅片清洗中得到了广泛应用。 * *
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