半导体物理学第4章.pptVIP

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 半导体物理学 研究半导体物理性质的科学，具体来说就是在固体能带理论的基础上，研究半导体的能带结构，半导体内电子的运动规律，电子平和与非平衡的统计规律，以及电、磁、光、热等外因对半导体内部电子运动的影响。 §4.2 载 流 子 的 散 射 热运动：无规则的、杂乱无章的运动 载流子散射：载流子在半导体中运动时，不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生碰撞。用波的概念，即电子波在半导体中传播时遭到了散射 平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程 平均自由时间：连续两次散射间的平均时间 有外电场作用时 载流子受到电场力的作用作定向运动 载流子不断遭到散射，使运动方向改变 (2)、载流子的漂移运动 电阻率与掺杂的关系 N型半导体 P型半导体 电阻率与温度的关系 本征半导体 本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降 杂质半导体 前面我们通过载流子在电场中的加速和散射求其漂移速度，得出电导率、迁移率与散射概率与平均自由时间，曾： 1、计算中把平均自由时间看做一个常数； 2、计算中载流子向各个方向运动的概率相同。 谢 谢！ 速度饱和 在低电场作用下，载流子在半导体中的平均漂移速度v与外加电场强度E呈线性关系；随着外加电场的不断增大，两者呈非线性关系，并最终平均漂移速度达到一饱和值，不随E变化。 n-Ge: （区别于金属） * 中心问题： a、载流子在外场下的漂移运动和迁移率相关的散射的概念； b、迁移率、电导率和电阻率随温度和杂质浓 度的变化规律。 主要内容： ●漂移运动和迁移率 ●载流子的散射概念 ●迁移率与杂质浓度和温度的关系 ●电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 *本章讨论的重点： 1、载流子散射 （1）载流子的热运动 热运动+漂移运动 电流I 在外力和散射作用下，载流子以一定的平均速度沿力的方向漂移，即为平均漂移速度 在外电场作用下，实际上，载流子的运动是：