中国科学院微电子研究所2015年硕士专业课考试试题内容覆盖范围及.docVIP

中国科学院微电子研究所2015年硕士专业课考试试题内容覆盖范围及.doc

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中国科学院微电子研究所2015年硕士专业课考试试题内容覆盖范围及

试 题 内 容 覆 盖 范 围 科目名称 试题覆盖范围 指定参考书及出版社名 804 半导体物理 参考附件1 详见国科大招生网站 刘恩科、朱秉升、罗晋生等,《半导体物理学》,电子工业出版社或西安交通大学出版社 2008版 856 电子线路 参考附件2 详见国科大招生网站 1、Robert L.Boylestad, Louis Nashelsky(作者), 李立华, 李永华 (译者), 模拟电子技术,电子工业出版社; 第1版 (2008年6月1日),国外电子与通信教材系列 2、童诗白、华成英,模拟电子技术基础(第三版),高等教育出版社,2001年 3、(美)John F.Wakerly 林生 葛红 金京林(翻译) 数字设计:原理与实践(原书第4版) ,机械工业出版社,2007 年5月 4、阎石,数字电子技术基础(第五版),高等教育出版社 859 信号与系统 参考附件3 详见国科大招生网站 郑君里等,《信号与系统》,上下册,高等教育出版社,2011年3月,第三版 声 明:从2015年起,中国科学院微电子所的硕士研究生入学考试科目“半导体物理(804)、电子线路(856)、信号与系统(859)”全部由中国科学院大学统一命题。考试大纲及2012年-2013年真题见国科大网站:/home/detail/ab9793e6-b916-4900-8728-1bd095806c1e 附件一:804-《》考试大纲 附件三:859-《信号语系统》考试大纲 附件1: 中国科学院大学硕士研究生入学考试 《》考试大纲 ─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结;半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解,能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用,并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。 一、考试形式 (一)闭卷,笔试,考试时间180分钟,试卷总分150分 (二)试卷结构 第一部分:名词解释, 约50分 第二部分:简答题,约20分 第三部分:计算题、证明题,约80分 二、考试内容 (一)半导体的电子状态: 半导体的晶格结构和结合性质,半导体中的电子状态和能带,半导体中的电子运动和有效质量,本征半导体的导电机构,空穴,回旋共振,硅和锗的能带结构,III-V族化合物半导体的能带结构,II-VI族化合物半导体的能带结构 (二)半导体中杂质和缺陷能级: 硅、锗晶体中的杂质能级,III-V族化合物中杂质能级,缺陷、位错能级 (三)半导体中载流子的统计分布 状态密度,费米能级和载流子的统计分布,本征半导体的载流子浓度,杂质半导体的载流子浓度,一般情况下的载流子统计分布,简并半导体 (四)半导体的导电性 载流子的漂移运动,迁移率,载流子的散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系,电阻率及其与杂质浓度和温度的关系,玻尔兹曼方程,电导率的统计理论,强电场下的效应,热载流子,多能谷散射,耿氏效应 (五)非平衡载流子 非平衡载流子的注入与复合,非平衡载流子的寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的扩散运动,载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式,连续性方程式 (六)p-n结 p-n结及其能带图,p-n结电流电压特性,p-n结电容,p-n结击穿,p-n结隧道效应 (七)金属和半导体的接触 金属半导体接触及其能级图,金属半导体接触整流理论,少数载流子的注入和欧姆接触 (八)半导体表面与MIS结构 表面态,表面电场效应,MIS结构的电容-电压特性,硅─二氧化硅系数的性质,表面电导及迁移率,表面电场对p-n结特性的影响 (九)异质结 异质结及其能带图,异质结的电流输运机构,异质结在器件中的应用,半导体超晶格 (十)半导体的光、热、磁、压阻等物理现象 半导体的光学常数,半导体的光吸收,半导体的光电导,半导体的光生伏特效应,半导体发光,半导体激光,热电效应的一般描述,半导体的温差电动势率,半导体的玻尔帖效应,半导体的汤姆孙效应,半导体的热导率,半导体热电效应的应用,霍耳效应,磁阻效应,磁光效应,量子化霍耳效应,热磁效应,光磁电效应,压阻效应,声波和载流子的相互作用 三、考试要求 (一)半导体的晶格结构和电子状态 1.了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。 2.理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。 3.掌握半导体中的电子运动规律,理解有效质量的意义。 4.理解本征半导体的导电机构,理解空穴的概念。 5.熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。 6.理解硅和锗的能带结构,掌握有效质量的计算方法。 7.了解III-V族化合物半导体的能带结构。 8.了解II-VI族化合物半导体的能带结构。 (二

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