中国科学院微电子研究所2015年硕士专业课考试试题内容覆盖范围及.docVIP

试 题 内 容 覆 盖 范 围 科目名称 试题覆盖范围 指定参考书及出版社名 804 半导体物理 参考附件1 详见国科大招生网站 刘恩科、朱秉升、罗晋生等，《半导体物理学》，电子工业出版社或西安交通大学出版社 2008版 856 电子线路 参考附件2 详见国科大招生网站 1、Robert L.Boylestad, Louis Nashelsky（作者）, 李立华, 李永华 (译者)， 模拟电子技术，电子工业出版社; 第1版 (2008年6月1日)，国外电子与通信教材系列 2、童诗白、华成英，模拟电子技术基础（第三版），高等教育出版社，2001年 3、(美)John F.Wakerly 林生 葛红 金京林（翻译） 数字设计:原理与实践(原书第4版) ，机械工业出版社，2007 年5月 4、阎石，数字电子技术基础（第五版），高等教育出版社 859 信号与系统 参考附件3 详见国科大招生网站 郑君里等，《信号与系统》，上下册，高等教育出版社，2011年3月，第三版 声 明：从2015年起，中国科学院微电子所的硕士研究生入学考试科目“半导体物理（804）、电子线路（856）、信号与系统（859）”全部由中国科学院大学统一命题。考试大纲及2012年－2013年真题见国科大网站：/home/detail/ab9793e6-b916-4900-8728-1bd095806c1e 附件一：804-《》考试大纲 附件三：859-《信号语系统》考试大纲 附件1： 中国科学院大学硕士研究生入学考试《》考试大纲 ─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。 一、考试形式 （一）闭卷，笔试，考试时间180分钟，试卷总分150分 （二）试卷结构 第一部分：名词解释， 约50分 第二部分：简答题，约20分 第三部分：计算题、证明题，约80分 二、考试内容 （一）半导体的电子状态： 半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，III－V族化合物半导体的能带结构，II－VI族化合物半导体的能带结构 （二）半导体中杂质和缺陷能级： 硅、锗晶体中的杂质能级，III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级 （三）半导体中载流子的统计分布 状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体 （四）半导体的导电性 载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应 （五）非平衡载流子 非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式 （六）p-n结 p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应 （七）金属和半导体的接触 金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触 （八）半导体表面与MIS结构 表面态，表面电场效应，MIS结构的电容－电压特性，硅─二氧化硅系数的性质，表面电导及迁移率，表面电场对p－n结特性的影响 （九）异质结 异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中的应用，半导体超晶格 （十）半导体的光、热、磁、压阻等物理现象 半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半导体发光，半导体激光，热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的玻尔帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用，霍耳效应，磁阻效应，磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应，声波和载流子的相互作用 三、考试要求 （一）半导体的晶格结构和电子状态 1．了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。 2．理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。 3．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。 4．理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。 5．熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。 6．理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。 7．了解III－V族化合物半导体的能带结构。 8．了解II－VI族化合物半导体的能带结构。 （二