薄膜材料及其制备技术.docVIP

课程设计 实验课程名称 电子功能材料制备技术 实验项目名称 薄膜材料及薄膜技术 专 业 班 级 学 生 姓 名 学 号 指 导 教 师 薄膜材料已有200年的历史。在19世纪可以说一直是处于探索和预研阶段。探索者的艰辛大量具有各种不同功能的薄膜得到了广泛的应用，薄膜作为一种重要的材料在材料领域占据着越来越重要的地位各种材料的薄膜化已经成为一种普遍趋势将21世纪科学与技术领域的重要发展方向之一 一、薄膜材料的发展? 　　膜材料的目前，对薄膜材料的研究正在向多种类、高性能、新工艺等方面发展，其基础研究也在向分子层次、原子层次、纳米尺度、介观结构等方向深入，新型薄膜材料的应用范围正在不断扩大。当前薄膜科学与技术得到迅猛发展的主要原因是，新型薄膜材料的研究工作，始终同现代高新技术相联系，并得到广泛的应用常用的有：超导薄膜、导电薄膜、电阻薄膜、半导体薄膜、介质薄膜、绝缘薄膜、钝化与保护薄膜、压电薄膜、铁电薄膜、光电薄膜、磁电薄膜、磁光薄膜等。近10年来，新型薄膜材料在以下几个方面的发展更为突出（1）金刚石薄膜 　　金刚石薄膜的禁带宽，电阻率和热导率大，载流子迁移率高，介电常数小，击穿电压高，是一种性能优异的电子薄膜功能材料，应用前景十分广阔。 　　金刚石薄膜有很多优异的性质：硬度高、耐磨性好、摩擦系数、化学稳定性、热导率高、热膨胀系数小是优良的绝缘体。金刚石薄膜属于立方晶系面心立方晶胞每个晶胞含有8个C原子每个C原子采取sp3杂化与周围4个C原子形成共价键牢固的共价键和空间网状结构是金刚石硬度很高的原因利用它的高导热率可将它直接积在硅材料上成为既散热又绝缘的薄层是高频微波器件、超大规模集成电路最理想的散热材料。利用它的电阻率大可以制成高温工作的二极管微波振荡器件和耐高温高压的晶体管以及毫米波功率器件等。　　金刚石薄膜制备的基本原理是在衬底保持在800~1000℃的温度范围内化学气相沉积的石墨是热力学稳定相而金刚石是热力学不稳定相利用原子态氢刻蚀石墨的速率远大于金刚石的动力学原理将石墨去除这样最终在衬底上沉积的是金刚石薄膜。金刚石薄膜的许多优良性能有待进一步开拓我国将金刚石薄膜纳入863新材料专题进行跟踪研究并取得了很大进展 （2）铁电薄膜 　　铁电薄膜的制备技术和半导体集成技术的快速发展推动了铁电薄膜及其集成器件的实用化。铁电材料已经应用于铁电动态随机存储器(FDRAM)、铁电场效应晶体管( FEET)、铁电随机存储器( FFRAM)、IC卡、红外探测与成像器件、超声与声表面波器件以及光电子器件等十分广阔的领域。铁电薄膜的制作方法一般采用溶胶凌胶法、离子束溅射法、磁控溅射法、有机金属化学蒸汽沉积法、准分子激光烧蚀技术等已经制成的晶态薄膜有铌酸锂铌酸钾、钛酸铅、钛酸钡、钛酸锶、氧化铌和锆钛酸铅等以及大量的铁电陶瓷薄膜材料。 氮化碳薄膜 　　美国伯克利大学物理系的M.L.Cohen教授以b-Si3N4晶体结构为出发点预言了一种新的C-N化合物b-Si3N4Cohen计算出b-Si3N4b-C3N4是一种晶体结构类b-Si3N4，具有非常短的共价键结合的C-N化合物其理论模量为4.27Mbars接近于金刚石的模量4.43 Mbars随后,不同的计算方法显示b-Si3N4具有比金刚石还高的硬度不仅如此b-Si3N4还具有一系列特殊的性质引起了科学界的高度重视目前世界上许多著名的研究机构都集中研究这一新型物质b-Si3N4的制备方法要有激光烧蚀法、溅射法、高压合成、等离子增强化学气相沉积、真空电弧沉积、离子注入法等多种方法。在CNx膜的诸多性能中，最吸引人的可能超过金刚石的硬度，尽管现在还没有制备出可以直接测量其硬度的CNx晶体，但对CNx膜硬度的研究已有许多报道。 半导体薄膜复合材料 　　以非晶硅氢合金薄膜a—Si：H和非晶硅基化物薄膜a—SiGe：H、a—SiC：H、a—SiN：H等为代表。它有良好的光电特性，可以应用于太阳能电池，其特点是：廉价、高效率和大面积化。为了改善这些器件的性能，又研制了多晶硅膜、微晶硅膜及纳米晶硅薄膜。这些器件已列入各国发展计划中，如日本的阳光计划，欧洲的焦耳—热量计划，美国的百万屋顶计划，中国的973和863计划，并已发展成为高新技术产业另一项有发展前途的是Cu1nGa）Se2（小面积效率＞18．8％及口为16．4％的CdTe薄膜太阳电池也列入国家863计划。这类半导体薄膜复合材料，特别硅薄膜复合材料已开始用于低功耗、低噪声的大规模集成电路中，以减小误差，提高电路的抗辐射能力。 超晶格薄膜材料 　　随着半导体薄膜层制