实验11电子之荷质比实验.docVIP

電子之荷質比實驗 【目的】 利用電子束偏折管(electron beam deflection tube)，觀察電子在磁場中的運動並測量電子之電荷與質量之比(e/m)值。 【原理】 運動中的電子若受電場或磁場的作用，會改變其運動的方向。電子束偏折管的造如圖1 所示，管內為高度真空，左端的陰極由燈絲加熱，使電子從表面脫離出來，加速陽極則維持在相當高的電壓(5kV)(相對陰極而言)可以使電子加速，聚焦陽極則使電子能聚成一束。電子打到螢光幕時產生螢光。(螢光的發射光譜，是原子或分子先吸收能量被激發，然後發射特微頻率的光譜。) 圖1 電子束偏折管的結構說明(1)控制柵極(2)聚焦陽極(3)加速陽極(4)燈絲加熱(5)陰極(6)電子鎗(7)電子束(8)螢光幕 若加速陽極之高壓為，而由陰極脫離出來的電子初速可以忽略，則電子速度V為 (1) 。經加速後的電子束會通過一個均勻磁場中。此均勻磁場由電子束偏折管兩旁的一對平行線圈(赫姆霍茲線圈Helmholtz coil)所產生。如果電子的入射初速度方向與磁場(B)方向垂直，如圖2所示，則電子受到一個向心力(勞侖茲力，Lorentz force)為: (2) 圖2 電子在磁場中的偏折 電子受到勞侖茲力的作用而改變它的運動方式，其運動軌跡為半徑r之圓周運動。電子在圓周時所受之向心力為： (3) ，由(2)和(3)式，得到電子的電荷與質量之比值為: (4) 其中v為電子束進入磁場時之速度，r為圓周軌道之半徑，而B為磁場強度大小。由(1)是可知電子束之速度為，將此代入(4)可得到 (5) 陽極之高電壓及磁場B可直接測量，電子束軌跡之曲率半徑可由軌道上之任何一點的座標算出(如圖3)，亦即 (6) 圖3 derivation of (6) to determine radius of curature (a):start of the magnetic field 【三】儀器 電子束偏折管、赫姆霍茲線圈及基座，Tesla磁表及切向場探針、高壓供應器、直流電源、低電壓轉換器、校準磁鐵片、三用電表、連接線多條。 【四】步驟： 測量磁場強度: 利用Tesla磁表與切向場探針，測量赫姆霍茲線圈(Helmhotz coils)所產生的磁場強度，並畫出磁場強度B對電流I關係圖： (1)磁表之測量範圍定於20mT； (2)將探針放入兩赫姆霍茲線圈中間(如圖4)，使線圈所產生的磁力線垂直切入探針。 (3)將電流由0增加到1A，每0.1A測量一次磁場，記錄電流大小與磁場強度B；並在方格上畫出B對I的關係圖。 圖4 setup for measuring the magnetic flux density B as a function of current I 測量電子的荷值比，e/m值： (1)先將電子束偏折管、線圈、直流電源、電壓供應器及三用電表串聯 如圖5所示。 注意：將各種儀器單元與電流供應器連接時一定要先關掉電源，否則很容易將儀器燒毀。 將電子束偏折管上的加熱燈絲之插座與低電壓轉換器(low voltage transformer)之6V輸出端連接。 注意：高電壓會將加熱絲(電子束偏折管)燒壞，故不能把高電壓接到加熱絲之插座。 (2)確定線路連接無誤後，打開高壓供應器(High voltage power supply)之開關，利用控制鈕從零開始緩慢增加直流電壓值(5kV左右)。 (3)沒有偏折時之校準:觀察電子束是否通過中央水平線;若電子束不在中央水平線，則將磁鐵片放置於偏折管管頸附近，使電子束呈現在中央水平線上。 (4)利用直流電源之調整鈕，調整通過線圈的電流I(亦即調整磁場)，使電子束通過x=6cm，y=1cm座標，記錄x，y與I值。 (5)改變電流，重覆步驟(4)，盡量取靠中央的點，至少得6組數據。 (6)從所得的數據，計算e/m的平均值及平均標準差。 (7)所得之e/m值與一般教科書上所列之正確值比較，並估計百分之誤差。 【五】問題： 1.本校地區的地磁強度約為0.35高斯(1gauss=tesla)，請問地磁對本實驗之影響如何?