第一章微芯片对的需求课题.ppt

第一章 微芯片对材料的需求 概述 ● 微电子加工技术 0.18um---0.1um的时代 研究已经在0.1um领域，2010年达到生产 ●三个标志量： 容量3G-------3T, 速度GHz-----THz, 传输速率Gb/s----Tb/s 单晶提拉技术 基本材料类 1970—1980年 Si SiO2 Al P-Si Si3-N4 金属硅化物 1980---1990 TaSi2 MoSi2 TiSi2 CoSi2 PtSi2 金属化材料 1990-2000 Cu Cu/TiN TiN/Ti Ti Ta W 高k材料 2000—2005 BST TiO2 Ta2O5 铁电材料 2001---2006 BST (Pb,La)TiO3 Pb(Zr,Ba,Sr)TiO3 电极材料 2001---2006 Pt RuO2 IrO2 SrRuO3 (LaSr)CoO3 YBa2Cu3O7 SrBi2Ta5O9 低K材料 2003----2010 有机硅 BN Polymer CMOS器件和电路的典型结构 1.衬底材料 Si---材料，GaAs, InP, GaN, SiGe 晶片（wafer)----直径越来越大，一般一个晶片上集成250个以上的芯片在经济上才合理 目前多采用3—4英寸的硅片，4M的DRAM时一般须要6英寸硅片，生产256M DRAM则须要12英寸 2.栅电极材料 是CMOS器件中最重要的材料之一 包括栅绝缘介质层和栅电极两部分 Ta2O5 (ε=25--35) TiO2(ε=100) Sr-Ti-O(ε= 20—60) (SrBa)TiO3(ε= 300—400) Al------MOSFET工艺在个中应用 GexSi1-x,W/TiN, GexSi1-x----目前 栅结构材料 绝缘介质材料:缺陷少，漏电流小，抗击穿度高，稳定性好 目前： SiO2----1.5nm应用在MOSFET工艺中 未来： SiNxOy----1.0nm应用在MOSFET工艺 中 高k材料：Ta2O5(25—30), TiO2(--100), (SrBa)TiO3(300---400) Memories (SRAM DRAM) Read-Write Memories (RAM) 6-transistor CMOS SRAM Cell Simplified CMOS SRAM Analysis (Write) Simplified CMOS SRAM Analysis (Read) Resistive-load SRAM Cell 1-Transistor DRAM Cell DRAM Cell Observations 1-T DRAM Cell Advanced 1T DRAM Cells Semiconductor Memory Trends * 抽真空 加热体 提拉杆 籽晶体 原材料 坩埚 旋转系统 Process Flow of Annealed Wafer Crystal Growth Slicing Graphite Heater Si Melt Si Crystal Polishing Wafering High Temp. Annealing Furnace Annealed Wafer Defect Free Surface by Annealing (Surface Improvement） Surface Defect Map Polished Wafer 涂光刻胶（正） 选择曝光 热氧化 SiO2 一、工艺流程举例（制作PN结） 去胶 掺杂 显影（第1次图形转移） 刻蚀（第2次图形转移） N P 蒸发镀Al 膜 光刻Al 电极 CVD 淀积SiO2 膜 光刻引线孔 Static RAM Cell Memories (SRAM DRAM) DRAM Device 对硅材料中的缺陷密度要求：