电子注入课题.ppt

Logo Logo OLED电子注入材料 汇报人： 学 号： Logo 背景 OLED电子注入材料 1 2 机理 3 实例 4 QA OLED结构示意图 Logo 背景 获得高效的OLED器件性能： (1)努力提高器件空穴与电子的注入并使之平衡; (2)采用可以产生磷光发射的材料； (3)通过分子设计合成高量子产率的材料用作器件的发光层； (4)在器件结构中加入增透膜等光学结构。 背景 空穴易注入 空穴迁移速度快 空穴多于电子 加入介电层抑制空穴注入，减小空穴浓度 提高了器件工作电压 降低阴极界面势垒提高电子注入。 机理 金属阴极与有机半导体薄膜接触前后的能级变化 机理 电子越过界面处肖特基势垒注入器件内部的两种途径: （a）热发射注入；（b）隧穿注入 阴极/电子注入材料 单层金属阴极:金属Ag、Al、Ca、Ba 合金阴极：Mg:Ag合金(掺杂比例10:1） Li:AI合金(Li 浓度为0.1%) 化合物-金属复合阴极：LiF/Al复合阴极 CsF/A1复合阴极 Li2O/Al复合阴极 A1203/Al复合阴极 Mg0/Al复合阴极 LiF/Al复合阴极 机理一： （1）真空蒸镀热活化的Al蒸气， （2）界面处超薄的LiF层发生化学反应， （3）生成极其微量的金属Li。 LiF/Al复合阴极 机理二： （1）LiF与Al的界面化学反应属于热力学禁阻， （2）处于LiF层之下的某种特定的有机半导体接受一个电子形成负离子并释放一定能量， （3）能量释放将协同LiF与Al的反应发生，生成Li 极其微量的金属Li在生成瞬间，即将一个电子传递给下层有机半导体材料，形成有利于电子注入的n型掺杂结构。 低功函阴极材料 LiF 类： Li02、LiCo02、NaCl、MgF2、CsF 、CaF2、BaF2、NaF、RbF、CsCl、Ru2C03、YbF3等。 比Al更活泼的金属： LiF/Mg:Ag 、LiF/Ca/Al、CsF/Ca/Ag、CsF/Yb/Ag、CsF/Ba/Ag、CsF/Mg:Ag、NaCI/Ca/Al等。 低功函阴极材料 含有低功函金属离子的有机材料： （1）一类是有机部分只作为平衡电荷的阴离子或配体，不具备额外的电子传输功能，戊间二酮锂、二叔丁基戊酞甲烷锂、戊间二酮钙等; 低功函阴极材料 （2）有机部分含有缺电子的含氮芳环结构，可以形成稳定的负离子，所以具备一定的电子注入和传输能力， 8_羟基喹啉锂（Liq ) 、 2一甲基一8_羟基喹啉锂(LiMeq）、四(8-羟基喹啉)硼锂(LiBq4 ) 、 8-羟基喹啉钠(Naq）、4-羟基菲啶锂(LiPh ） 、 2-(5一苯基一1,3,4-噁二唑基)苯酚锂(LiOXD ）、 2-(2-吡啶)苯酚锂LiPP）、 8-羟基喹啉铯（Csq ) 、三(8_羟基喹啉)铒(Erq3）等。 高功函金属阴极材料 插入绝缘层前(a)后(b隧穿长度变化的机理示意图 Logo Logo