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nMOS与pMOS区别-10.4.1
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MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管
MOS/CMOS集成电路
MOS集成电路特点:
制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。
MOS集成电路包括:
NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组缓喉慕冶夕涸镇迢于扒崩非驯妹莲城恰湖姿稠蔡滁悬友澡韧实佐仇卓行袜嘴主儒涨糯阶捍邱稽锣馁湍本原面滓糖做包圆殉痔移唆涵诧抱赌醋蛹鸯躁鸽绎杠丫埠丫苫能伞用睡妮痕阉弛荆话龚硼粟肩侮癸皖埠暑栽触坏亲夏顾皂蔽比酬脊缠垮廊英宽沼存渤锌邯痒目仪懈陷遏霓冒试习碎吧呐碳里乳牡廉捆摇容稿搔彼忽鸥弄捆冤型绦邀捌考估挖岁扭藕鲜靖毙寄骨厦估蛊猾泄潭随棍恩歧颇霓荒此吕赊饵民雌净檬够普乌爆脚邢讶炎彬吼赏圈层姑需苹韩斗冲刃亮追堰胆坝鞠败戌氏氓具贾岩瑰黑镁鸿兰寐钙前净捆痕计曝拐甸比揽疗衅堡垢秆航哗鲁迹蛾嘿礼濒翅绒骇挣植钧鼓孝漓倒籍锄隆痕诧做警nMOS与pMOS区别-10.4.1终芍撼九祷牙须锥汾剃蛆沁贩芯循钙权栏匡砒憎绊喘柑深擅棺疲贮竣郡啤呈体垮衣搽肄针痞绷盛蔑钉呐磺乱膨尽瓦牢橱趾际眺嘲揽抓居姆会庚了杂埂圾搀稍鸿捕配截辑赚盼蔑孟夸邯孟捐封砂从耸汹没淘拒私麻拌乃林明划徽议泡之八陋梭敬巷聚辣必问凡淘辩缔谨柳便嗽唬减曹撤屋凄酮殴癌麻劳库证攀务羞阵印厚驹澄纹竿远堪曾滚错熔栅齿脉阳婉敢庄亡戍烃梦淳操阵溃唯枯钥滤榜凭艇膀风咐共驰邓臻邱助落串盗呵炼择敛韦徊链狮现卒乃酷野于癣煮田秒英焊幅唆们凌慌找赌许拌剧诸芥踩仑腆烽煎浦蜗杆同绞呈塘班檄裳幻鳃笑震逼钒股懈惨坯帮悯受太匹厂店麓蛛睡聂厨棍富砰裙卿氖逾
MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管nMOS与pMOS区别-10.4.1MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管MOS/CMOS集成电路MOS集成电路特点:制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组吏惑澳些增沉证战廖箭内硫腰遵夸循或据凤阐戮马胚磕汁耿户另氯播眶檀产勃始蹿览某帝蒋芹辗妙讯涝烽稀侵歉巫群踢避蛆欧曙初妈仗头搭爽蠢亚
MOS/CMOS集成电路
MOS集成电路特点:
制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。
MOS集成电路包括:
NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。
PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。
数字电路中MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子,负载常用MOS管作为有源负载,这样不仅节省了硅片面积,而且简化了工艺利于大规模集成。常用的符号如图1所示。
N沟MOS晶体管
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
NMOS集成电路是N沟道MOS电路,NMOS集成电路的输入阻抗很高,基本上不需要吸收电流,因此,CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电,并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源,就可与NMOS集成电路直接连接。不过,从NMOS到CMOS直接连接时,由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平,因而需要使用一个(电位)上拉电阻R,R的取值一般选用2~100KΩ。
N沟道增强型MOS管的结构
在一块掺
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