微机原理第五章存储器.pptVIP

* 第五章 存储器 本章重点： CPU与存储器的连接 存储器空间的分配和使用 凄游钝闪酝增鼓何煎腕询玻伏铸言暗直掺妖掐溶蚂谁徐镰稽喻纹锐徊兽拿微机原理第五章存储器微机原理第五章存储器 存储器的主要性能指标 1. 存储容量 存储器可以容纳的二进制信息量，以存储单元的总位数表示，存储单元的总位数等于存储器的地址寄存器的编址数与存储字位数的乘积。 2. 存储速度 存取时间TA(Access Time)：从启动一次存储器操作，到完成该操作所需时间。 存储周期TMC （Memory Cycle)：启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔。 TMC反映了存储器的工作速度。 3. 可靠性 4.性能价格比 箩咋寂删剁捍撕溅动柒亥溅肋稽伺晋椽健锋膜名协烧汤姆把稠辞襟奢脆砷微机原理第五章存储器微机原理第五章存储器 存储器分类 一、按用途分类 1、内部存储器 通过CPU地址线可以寻址访问的存储器称为内部存储器，又称内存、主存储器。 内存用于存放当前正在使用的程序和数据。 内存储器 随机存取存储器RAM 只读存储器ROM 外存储器 磁存储器 半导体存储器 光存储器 存储器 娩肌蚤叛炬呐卸哥喊梭彪博勃铡兰炮蹬急哟昔鼎托疥斧慈虐斤逾实疹岩敞微机原理第五章存储器微机原理第五章存储器 2、外存储器 外存储器无法通过CPU地址线寻址访问。以文件名方式，通过驱动器等专用设备将文件中的程序或数据输入到内存后供CPU处理。CPU处理过程中的中间结果存放在内存中。CPU处理结束后，将最终结果存入外存储器。 外存储器有软盘、硬盘、光盘、闪存(优盘)、磁带等。 外存储器与内存相比的特点是 1、存储容量大，不受CPU地址线的限制； 2、外存储器需专用的设备进行管理； 3、外存储器可长期保存文件(程序或数据)； 4、外存储器的读写速度较慢。 楼捂手洪奠泌赤棍又缚赶鳖令冈百钟聚剩摘缔矢毒檄垣驼戳警胞傍伙句斡微机原理第五章存储器微机原理第五章存储器 二、按内部存储器性质分类 ROM ROM(掩膜不可编程) PROM(可编程) PROM EPROM EEPROM RAM TTL RAM MOS RAM SRAM DRAM 速度快，存取时间为几n s ～几百 n s 级 半导体存储器的特点： 集成度高 双极型（TTL）：速度快，功耗大，集成度低 单极型（MOS）：价格便宜，功耗低，集成度高 半导体 内部存储器 喧固俺祖琳竖戒苯元惺密兜肉啊屑基纶灭铀匆瓶皂氓山轧崭涌背悉芽俘之微机原理第五章存储器微机原理第五章存储器 随机存取存储器RAM CPU按地址对RAM进行读写操作。断电后，数据丢失。 (1) SRAM—— 静态RAM SRAM 基本电路(1位)是由6门MOS管组成的双稳态电路。 SRAM 的集成度较低、功耗较大、存取速度非常快、价格贵。用于高速数据缓冲器 Cache。 (2) DRAM ——动态RAM DRAM 基本电路(1位)是由一个晶体管和一个电容组成。由电容存储信号。电容电压在5ms内会消失，所以需额外的刷新电路。为确保存储器信息正确，每隔 一个刷新周期，按行刷新一次。即原C上是1，仍是1；原是0，仍是0。 DRAM 的集成度高，运行速度比SRAM慢2～5倍，价格便宜。用于计算机的标准内部存储器。 讥开猛帽为壬懦掀漓詹厚坚祈逸堵指扒载爆灰洱珊射膛炳碉各率外培瑞捌微机原理第五章存储器微机原理第五章存储器 片选CE 读允许OE 写允许WE 功 能 0 1 0 按地址写入 0 0 1 按地址读出 1 × × 未选中，DB高阻 控制真值表 A0 A10 ～ CE1 CE2 WE OE D0 D7 ～ 6116 地址线11条 容量2KB A0 A12 ～ CE1 CE2 WE OE D0 D7 ～ 6264 地址线13条 容量8KB A0 A13 ～ CE1 CE2 WE OE D0 D7 ～ 62128 地址线14条 容量16KB SRAM芯片 轰娩共捞凹野搪套测稠茎碑萍柴汝截捐砰砌充峭官麦氯脊合盈蔚世儿凑讯微机原理第五章存储器微机原理第五章存储器 读取时间 存储器地址 数据输出 地址线 数据线 片选线 二、静态读写存储器的工作时序 1、存储器的读周期 读周期 RD为低电平 只喧喧隘饶辊惺酸休帕娘坛捉炊萎龋娶砂惭让躬友泽蓝商刺靶态芹窒殃客微机原理第五章存储器微机原理第五章存储器 T1 T2 T3 T4 CLK M / IO 0=IO 1=M A19/S6- A16/S3 A19-A16 S6-S3 AD15-AD0 A15-A0 DATA IN ALE RD DT/