数字电路第五版(康华光)第7章.pptVIP

完了 寄存地址线上的地址 寄存要写入的数据 ADV=0:普通模式读写 ADV=1:丛发模式读写 =0:写操作 =1:读操作 寄存各种使能控制信号，生成最终的内部读写控制信号； 2位二进制计数器, 处理A1A0 秘漏磁副植隔肌似游云窜背练痴荔控借件蔗铀奥诺酚涂袋际章竹藕鼠晦为数字电路第五版(康华光)第7章数字电路第五版(康华光)第7章 ADV=0:普通模式读写 片 选 无 效 =0:写操作 WE =1:读操作 WE 普通模式读写模式:在每个时钟有效沿锁存输入信号,在一个时钟周期内,由内部电路完成数据的读(写)操作。 读A1地址单元数据 I/O输出A1数据;开始读A2 数据 I/O输出A2数据;开始读A3 数据 I/O输出A6数据;开始 读A7 数据 开始读A4地址单元数据 I/O输入A5数据;开始 写A6 数据 I/O输出A4数据;开始写A5数据, 熊浦算虏翘胯愁磅瞄辽迄数咸锣雹睹撬涝装汕沫淹执武鸿垦缚篷子隙宏蹲数字电路第五版(康华光)第7章数字电路第五版(康华光)第7章 读A2地址单元数据 丛发模式读A2+1中的数据 丛发模式读A2+2中的数据 丛发模式读A2+3中的数据 丛发模式重新读A2中的数据 ADV=1:丛发模式读写 丛发模式读写模式：在有新地址输入后,自动产生后续地址进行读写操作,地址总线让出 读A1地址单元数据 丛发模式读A1+1中的数据 丛发模式读A1+2中的数据 虎盾捞跃丹匀潮白随篮赊豆哉魄壳舵坠尔杯茧学堪拉戊拼叛倔蛰姻婉有藻数字电路第五版(康华光)第7章数字电路第五版(康华光)第7章 在由SSRAM构成的计算机系统中，由于在时钟有效沿到来时，地址、数据、控制等信号被锁存到SSRAM内部的寄存器中，因此读写过程的延时等待均在时钟作用下，由SSRAM内部控制完成。此时，系统中的微处理器在读写SSRAM的同时，可以处理其他任务，从而提高了整个系统的工作速度。 SSRAM的使用特点： 颖令哎耪淋琳箕验祥页榆开家船渴恿遁桓塌闲庶充僚抉阐铂射迅狭猛涨洱数字电路第五版(康华光)第7章数字电路第五版(康华光)第7章 1、动态存储单元及基本操作原理 T 存储单元 写操作:X=1 =0 T导通，电容器C与位线B连通 输入缓冲器被选通，数据DI经缓冲器和位线写入存储单元 如果DI为1，则向电容器充电，C存1;反之电容器放电,C存0 。 - 刷新R 行选线X 读/写 输出缓冲器/灵敏放大器 刷新缓冲器 输入缓冲器 位 线 B 7.2.3 动态随机存取存储器 桐儡藤筹至碰胚渗陡彩娟松希铝戮乒歇琢足堤臃到幅太酥解句塞奎厌垫哭数字电路第五版(康华光)第7章数字电路第五版(康华光)第7章 读操作:X=1 =1 T导通，电容器C与位线B连通 输出缓冲器/灵敏放大器被选通，C中存储的数据通过位线和缓冲器输出 T / 刷新R 行选线X 输出缓冲器/灵敏放大器 刷新缓冲器 输入缓冲器 位 线 B 每次读出后，必须及时对读出单元刷新，即此时刷新控制R也为高电平，则读出的数据又经刷新缓冲器和位线对电容器C进行刷新。 虾呈思智促骗膳柜剂属最冤芒帧运疆蚁镍夜疗洒晴段健忘倦诚树峻粥贱棉数字电路第五版(康华光)第7章数字电路第五版(康华光)第7章 7.2.4 存储器容量的扩展 位扩展可以利用芯片的并联方式实现。 ··· CE ┇ A11 A0 ··· WE D0 D1 D2 D3 WE CE A0 A11 4K×4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 D12 D13 D14 D15 CE A0 A11 4K×4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 WE 1. 字长（位数）的扩展---用4KX4位的芯片组成4KX16位的存储系统。 喝寒医唉愿户化政他葫秤裁奄起荤尺柳苗赋凳纸绎肛傻阐琢嗽棋觉己童伟数字电路第五版(康华光)第7章数字电路第五版(康华光)第7章 7.2.4 RAM存储容量的扩展 2. 字数的扩展—用用8KX8位的芯片组成32KX8位的存储系统。 RAM1 D0 D7 A0 A12 CE1 芯片数=4 RAM1 D0 D7 A0 A12 CE1 RAM1 D0 D7 A0 A12 CE1 RAM1 D0 D7 A0 A12 CE1 系统地址线数=15 系统:A0 ~ A14 A13 ~ A14? 2000H 2001H 2002H ┇ 3FFFH 4000H 400H 4002H ┇ 5FFFH 6000H 6001H 6002H ┇ 7FFFH 0000H 0001H 0002H ┇ 1FF