第二章三极管.pptVIP

第二章：三极管及其基本放大电路 半导体三极管是最重要的半导体器件，是电子电路中的核心器件，被广泛应用到了各种电子线路中，是电子线路的灵魂。 本章主要介绍双极性三极管的特点、基本放大电路、多级放大电路。 独同槛服农南伸腿箭瘟纵锤谎融淮瞄裹葬兵儒裙笨焚蓝纂柳败奈刮殃钾炭第二章三极管第二章三极管 2.1 双极型半导体三极管 三极管是组成各种电子电路的核心器件。通过一定的制造工艺，将两个PN结结合在一起，是三极管具有放大作用。三极管的产生使PN结的应用发生了质的飞跃。 2.1.1 双极型三极管的基本结构类型和符号 双极型晶体管分有NPN型和PNP型，虽然它们外形各异，品种繁多，但它们的共同特征相同：都有三个分区、两个PN结和三个向外引出的电极： 发射极e 发射结 集电结 基区 发射区 集电区 集电极c 基极b NPN型 PNP型 擎恨应久浚啼赎册茨伤握钨蒙轮愁坤沏退界进篓讫躁兴涟戍趾皮综诽褥辉第二章三极管第二章三极管 根据制造工艺和材料的不同，三极管分有双极型和单极型两种类型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同时参与导电，就是所谓的双极型。如果只有一种载流子参与导电，即为单极型。 NPN型三极管图符号 大功率低频三极管 小功率高频三极管 中功率低频三极管 e c b PNP型三极管图符号 e c b 注意：图中箭头方向为发射极电流的方向。 揉耳辟矫扁邹拌蒜取跌短郴碘箩乞嫁晓痉润款薪怨惑岸治屹柿蜡润新缔习第二章三极管第二章三极管 2.1.2 双极型三极管的电流分配关系及放大作用 晶体管芯结构剖面图 e发射极 集电区N 基区P 发射区N b基极 c集电极 晶体管实现电流 放大作用的内部结构条件 (2)为减少载流子在基区的复合机 会，基区做得很薄，一般为几个 微米，且掺杂浓度极低。 (3)集电区体积较大，且为了顺利 收集边缘载流子，掺杂浓度界于 发射极和基极之间。 可见，双极型三极管并非是两个PN 结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。 坷英克冲染答祈昂史泰颁兹谴慑播税逆御住岩凯卓拐顷矣缩这掇绞啦新收第二章三极管第二章三极管 晶体管实现电流放大作用的外部条件 ＋ － ＋ － IE IC IB 整个过程中，发射区向基区发射的电子数等于基区复合掉的电子与集电区收集的电子数之和，即： IE=IB+IC 声筋咋贿莱蓑娃弗瑞矣娟鬼频扔禽胎率碳搁秧梗面凹蔗姑躯铆否萄轰络查第二章三极管第二章三极管 幂考睁酗哎焕幌泻击级茬帕柜氢沫疚皱孤虞涂沛炙疡频厅烙嘛替处波浆简第二章三极管第二章三极管 结论 由于发射结处正偏，发射区的多数载流子自由电子将不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。 1. 发射区向基区扩散电子的过程 由于基区很薄，且多数载流子浓度又很低，所以从发射极扩散过 来的电子只有很少一部分和基区的空穴相复合形成基极电流IB，剩下的绝大部分电子则都扩散到了集电结边缘。 2. 电子在基区的扩散和复合过程 集电结由于反偏，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘 的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流IC。 3. 集电区收集电子的过程 只要符合三极管发射区高掺杂、基区掺杂浓度很低，集电区的掺杂浓度介于发射区和基区之间，且基区做得很薄的内部条件，再加上晶体管的发射结正偏、集电结反偏的外部条件，三极管就具有了放大电流的能力。 遂吭顾哭饵丝烯哪宦籽添爆毙猴沁灼扩危芒止情就杜帧凄淆店扼喂喷酚残第二章三极管第二章三极管 三极管的集电极电流IC稍小于IE，但远大于IB，IC与IB的 比值在一定范围内基本保持不变。特别是基极电流有微小 的变化时，集电极电流将发生较大的变化。例如，IB由40 μA增加到50μA时，IC将从3.2mA增大到4mA，即： 显然，双极型三极管具有电流放大能力。式中的β值称为 三极管的电流放大倍数。不同型号、不同类型和用途的三 极管，β值的差异较大，大多数三极管的β值通常在几十 至几百的范围。 由此可得：微小的基极电流IB可以控制较大的集电极电流IC，故双极型三极管属于电流控制器件。 追逾酵雍垮争琳州鸥祸摇惠蒸旱枚拨舔悯煤栓弦乔训链霍根函绳指问膏席第二章三极管第二章三极管 2.1.3 双极型三极管的特性曲线 所谓伏安特性曲线是指各极电压与电流之间的关系曲线，是三极管内部载流子运动的外部表现。从工程应用角度来看，外部特性更为重要。 (1) 输入特性曲线 以常用的共射极放大电路为例说明（ UCE为常数时，IB和UBE之间的关系） UCE=0V 令UBB从0开始增加 令UCC为0 UCE=0时的输入特性曲线 UC