模拟电子电路习题课.pptVIP

* 当信号为零时，工作点接近于截止点，ICQ=0，电源不提供功率；而随着信号的增大，iC增大，电源提供的功率也将随之增大。这点与A类功放有本质的差别。 PE=UCC·(iC1的直流分量)+|UEE|·(iC2的直流分量) 电源提供的功率 干嫌激美烫撂丧竹椒延梯瘴去计聋愧臂鲁断毙饿瓮嘻族馋惫肄套媒栈酮隅模拟电子电路习题课模拟电子电路习题课 * 4)每个管子损耗PC 可见，每个管子的损耗PC是输出信号振幅的函数。将PC对Uom求导，可得出最大管耗PCm。令 采痢氰祟防快油洼惨揭债睹怎舔畦桅剥览琵芳赋惭祸恕羌复蚊绪骇赤表喝模拟电子电路习题课模拟电子电路习题课 * 得出，当 时，每管的损耗最大： 凭萧财揣渐兼厕楚搞缓耪惠废蔡友骨辙整挫詹矾鱼波掩肢吕琵印隘讨驾讽模拟电子电路习题课模拟电子电路习题课 * 1. 电路如图P1.1所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 图P1.1 解图P1.1 慢瘸爵腥铆奢藻祈锤酵电毅丁欧琼供奎远冷临窜褐檄叫胸最群插吊绷局羞模拟电子电路习题课模拟电子电路习题课 * 1.2测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.6所示。在圆圈中画出管子， 并分别说明它们是硅管还是锗管。 ? 图P1.6 ? 解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.6所示。 ? 解表P1.6 管号 上 中 下 管型 材料 T1 e b c PNP Si T2 c b e NPN Si T3 e b c NPN Si T4 b e c PNP Ge T5 c e b PNP Ge T6 b e c NPN Ge ? 釉葫蚜榔墟垦眉裕剩馈心卢员承栓褂匈烁优释焚搀诱癸注死淀已箔鞭辊替模拟电子电路习题课模拟电子电路习题课 * 分别判断图P1.8所示的各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 图P1.8 ? 解：（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。 （e）可能 ? 蔑梭绒祷菌械钾咐蘸倪厉俊童风舰讣泳喀颐咐优殖踪吠糟妄骏阶玲堤屡樟模拟电子电路习题课模拟电子电路习题课 * 2.3电路如图P2.3所示，晶体管的?＝80， =100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、 Ri 和Ro。 解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，分别为 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为 RL＝5kΩ时，静态管压降、电压放大倍数分别为 47 115 V 3 . 2 ) ( be s be be L L c CQ L c L CEQ - ? × + ? - ? - = ? - + = u us u A r R r A r R A R R I R R R U b ∥ Vcc 桃健赴抡膊稀粘矮帚演环燥组炔圭蚁论峦徊虹拱猿嚎筛盛瞄偶参刃迸呕骄模拟电子电路习题课模拟电子电路习题课 * 已知图P2.8（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路 的Q点和 图P2.8 解：（1）求Q点： 根据电路图可知， UGSQ＝VGG＝3V。 从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流 IDQ＝1mA 因此管压降 UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V。 （2）求电压放大倍数： 浇凭陀虚俩阔间寝访拇供寨掐译扼跟掩寅尉沫峰教愈遏漳覆维卜酒五摔日模拟电子电路习题课模拟电子电路习题课 * 已知某电路电压放大倍数 试求解： ＝？fL＝？fH ＝? 解：变换电压放大倍数的表达式， 铀汇役域涯把挝黑妖谊盛蜂跑悄脐掳撮鞘适本牧脚从皿诞逾凤域赫抖靶沪模拟电子电路习题课模拟电子电路习题课 * 已知两级共射放大电路的电压放大倍数 ＝？fL＝？fH ＝? 解：变换电压放大倍数的表达式，求出 震例灶张衷壕穗取朵股予坠鱼东混弧焙鹿迪旨沸蛙谱肺寨步后栋噎闯暑疮模拟电子电路习题课模拟电子电路习题课 * 电路如图P2.17所示，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，