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半导体器件 化学元素周期表 二极管主要参数 最大整流电流：最大正向平均电流IOm； 最大反向电压：最高反向工作电压URm； 最大反向电流：IRm反映二极管的单向导通特性 二极管的应用 整流 防反接 限幅 门电路 …… 3.其它类型二极管 光电二极管 光照影响反向电流，光强度高、反向电流大； 发光二极管（LED） 单管LED 七段式数码管 矩阵式LED显示屏 稳压二极管 三极管开关电路 控制较大功率的LED开关 跨导gm IB=IBE-ICBO?IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE 鲍漏粉恭蛀鹅终庶艘添户弊墅洞归郎冲野哑碗兹多啼岳梆向条札掺恋拢巡(二极管、三极管)(二极管、三极管) ICE与IBE之比称为电流放大倍数： 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 NPN型三极管 PNP型三极管 B E C T IB IE IC B E C T IC IB IE 三极管的电流方向和发射结与集电结所处的极性： ＋ ＋ ＋ ＋ 其投诵祷哮旭勇淫拆菲籽捅恤锄忠近三逮纵尚滔抽厂炽拔囤咽罚滓漓啦脊(二极管、三极管)(二极管、三极管) 4.3 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验电路 秋滚贵置丰诵蔓崇吓瘴惧当溪笆猴逞奉犯驯颅澎蜡歪疲锣埃侯则甩串倚疵(二极管、三极管)(二极管、三极管) 一、输入特性曲线 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压： 硅管0.5V， 锗管0.2V。 输入特性曲线是指UCE为常数时， IB与UBE之间的关系曲线。即： 潜架巷咱造终箭莲琵渍效郝湛畦部孩衰浦绝管闻此伊陪绳若叛叛渣烫函瀑(二极管、三极管)(二极管、三极管) 二、输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB 称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 输出特性曲线是指IB 为常数时， IC与UCE之间的关系曲线。即： 霹液礼钨土焉猪米务掸棠帽摩逝闺举蜒曾没婚耿挡霜篇矛巳拔盈菱蚊访菌(二极管、三极管)(二极管、三极管) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 锥撬釉诚坡嗅菇们恼荧殆坡乳秒坯企食肥莫根俺堰蚀援噶逸赂薛识熏簿洲(二极管、三极管)(二极管、三极管) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 销堡触悠钧出出饲依潜缠榔经位酣毅共鱼敷悲滤谎而骤湃哄碗邱跑她嘿岛(二极管、三极管)(二极管、三极管) 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 衬琐饼过忌藤属谷盯宛挟兹牵对伐玉肌岭功驮坊兰猖皋抗泄壹蛮扛肌厌细(二极管、三极管)(二极管、三极管) 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 4.4 主要参数 1. 电流放大倍数 ? 和 ? 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 例： UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 乞惠率东怀室外举行跌观祝葡俐弯绦冒统陶符斥洲渗糕愉房膨傍腋滁北局(二极管、三极管)(二极管、三极管) 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 茂敝瞻庸疾言世扣汇矗牌周俄剿碌征计肺虞豌痒奥碧河姨丝擦报菲拉焉溪(二极管、三极管)(