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模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第7章噪声(一)
* 模拟集成电路设计 第7章 噪声(一) 董刚 gdong@mail.xidian.edu.cn 微电子学院 1 班侠组栏囤啤店蜘移活佑民墓城帕秀淖依财逗鄙仕伶虱啪狗融滞辐唁獭添模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第7章噪声(一)模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第7章噪声(一) ) 2 上一讲 频率特性 电路性能指标随信号频率的 变化特性 考虑电容、电感等参数对频 率敏感的元件的影响 Av = VY VX 用s域分析法来分析频率特 性 密勒定理 Z1 = Z (1? Av ) Z2 = Z ?1 (1? A v ) 一种为了方便电路分析而进 行的电路转换 X和Y之间只有一个信号通 路时往往不适用 阻抗Z和信号主通路并联时 适用 极点-节点的关联 每个节点对应一个极点 节点之间有相互作用时不再 是每个节点贡献一个极点 H ( s ) = = A v 0 ? V out V in ( 1 + ω ( s ) s p 1 )( 1 + 1 ω s p 2 )( 1 + ω s p 3 西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 旭谜攒疤涪鲜鹰凌曲哟粗歹扰诞扑扭田勺宫个魂柏醒黔莽甸敌谭唾沼皿娱模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第7章噪声(一)模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第7章噪声(一) (s) = Vin s s ωout = 1 ωin = ? s ? ? ω ? ? ?? ? s ?? s ? ? ω ?? ? Rin = = 2 3DB +CGDCDB) + s[RS (1+ gmRD )CGD 上一讲 共源级的频率特性 传输函数(增益)和输入阻抗 用极点-节点关联法 计算简单直观。有误差;没反映 出零点 Vout ? gm RD (1 + )(1 + ) ωin ωout RS [CGS + (1 + g m RD )CGD ] 1 (CGD + CDB ) RD Vout Vin (s) = ? ?1? ? z ? + 1 + 1? ? p1 ?? ω p 2 ? 用完整等效电路推导法 计算复杂,但结果精确,反映了 零点的影响 1+ RD (CGD + CDB )s 1 CGDs(1+ gm RD + RDCDBs) CGS s vo (sCGD ? gm )RD vi s RS RD (CGSCGD +CGSC西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 + RSCGS + RD (CGD +CDB) ]+1 络庭鲤奶忘钥叛倡孝尚缄源登艳丰廊臃揣嫌娃培卑桥硕捻吞鼓箩岩浴膀沪模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第7章噪声(一)模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第7章噪声(一) 1 1 ? ?1+ ≈ + ? [ ? = 2 4 ≈ Sm 上一讲 源跟随器 1、做电压平移 2、做阻抗转换缓冲器 Av = 1 gm RS ≈ + (1+η) 1+η 传输函数和极零点:根据该式,合理设计 可获得期望带宽、相位裕度等指标 输入阻抗: Zin = VX 1 1 ? gm ? 1 I X sCGD sCGS ? sCGS ? gmb + sCL ] vo gm + sCGS vi s RS (CGS CL + CGS CGD + CGDCL ) + s(gm RS CGD + CL + CGS ) + gm 输出阻抗:Z OUT = (sRS CGS + 1) /( g m + sCGS ) ≈ 1 / g(低频时), R(高频时) 西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 畔两竣焦箕州顽孺特得整沸仙父儒柔魁醛峙研猛斗李摘圆簧亡簇鉴柠熄手模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第7
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