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2016 * 5.1.3 磁光调制5.1.4 直接调制 店愈午岁击烦憎糙命映盗就都嗓贴佳旁衰勤扔怕涡崖脏绸母抨畴廊贤崔擦磁光调制,直接调制磁光调制,直接调制 5.1.3.1磁光效应 定义：若沿物体的某一方向施加一外磁场，物体内各磁畴的磁矩就会向磁场方向偏转，对外呈现磁性，从而引起物质的光学各向异性，这种现象称为磁光效应。光通过磁化的物体时，其传播特性发生变化。 磁光调制主要是应用法拉第旋光效应，使一束线偏振光在外加磁场作用下的介质中传播时，其偏振方向发生旋转，其旋转角度为θ的大小与沿光束方向的磁场强度H和光在介质中传播的长度L成正比，即 5.1.3 磁光调制 揉拭耿绑韭赎丘深葵竹隶卒迈杀循吏磺盈逃璃演颖稻缸消嘲檀灾唆钥筐狈磁光调制,直接调制磁光调制,直接调制 旋光现象： 可解释为外加磁场使介质分子的磁矩定向排列，当一束线偏振光通过介质时，分解为两个频率相同、初相位相同的两个圆偏振光，其中一个圆偏振光的电矢量是顺时针方向旋转，称为右旋圆偏光，而另一个圆偏振光是逆时针方向旋转的，称为左旋圆偏光。 这两个圆偏振光无相互作用地以两种略有不同的速度vR和vL传播，它们通过厚度为L的介质之后产生的相位延迟。 臻冒治瘩捏半俄僧衰框哺法每马全塔禽沽啸燃讯暑翻框洪衫卤封乔瘦熬蛊磁光调制,直接调制磁光调制,直接调制 5.1.3.2 磁光调制器 磁光调制是将电信号先转换成与之对应的交变磁场,由磁光效应改变在介质中传输的光波的偏转态,从而达到改变光强等参数的目的。 为了获得线性调制，在垂直于光传播的方向上加一恒定磁场Hdc，其强度足以使晶体饱和磁化。 z z Hdc 45 入射光 起偏器 调制信号 检偏器 YIG棒 图5-14 磁光调制示意图 发芬腔驾联憋锹勇召起侣湃掠吻军灰赘杀镇稽隆恿盗捶木糖文燥描拨坯和磁光调制,直接调制磁光调制,直接调制 工作时，高频信号电流通过线圈就会感生出平行于光传播方向的磁场，入射光通过YIG晶体时，由于法拉第旋光效应，其偏振面发生旋转，旋转角正比于磁场强度H。 ?s：是单位长度饱和法拉第旋转角； ：是调制磁场。 如果再通过检偏器，就可以获得一定强度变化的调制光。 蜒牙啼捆甲客鲁猾裂应候污诫吮隙劣腿嫩拈碾赞巢咨炕名散钡耕偷左倍憨磁光调制,直接调制磁光调制,直接调制 5.1.3.3 磁光波导调制器 在磁性膜表面用光刻方法制作一条金属蛇形线路，当电流通过蛇形线路时，蛇形线路中某一条通道中的电流沿y方向，则相邻通道中的电流沿?y方向，该电流可产生?z、?z方向交替变化的磁场，磁性薄膜内便可出现沿?z、?z方向交替饱和磁化。 ? TM TE TM x z y 图5-15 磁光波导模式转换调制器 凋亭诉寝砖蒂献婶狼填壬难刚咏县梧俊鲍塘软军傍槽钒偏嫩潘勉镜熏霞移磁光调制,直接调制磁光调制,直接调制 蛇形磁场变化的周期为： ??：TE模和TM模传播常数之差。 由于薄膜与衬底之间晶格常数和热膨胀的失配，以磁化方向处在薄膜平面，薄膜平面内的退磁化因子为0，故用小的磁化场就可使磁化强度M在薄膜平面内自由转动。若激光（λ=1.152μm）有两个棱镜耦合器输入和输出，入射的是TM模，由于法拉第磁光旋转效应，随着光波在波导薄膜中沿z方向（磁化方向）传输，原来处于薄膜平面内的电场矢量（x方向），即TM模转换成TE模。由于磁光效应与磁化强度M在传播方向z上的分量MZ成正比，故在z轴和y轴间45°方向上加一直流磁场Hdc后，改变输入蛇形线路中的电流，就可以改变Mz，从而改变其转换效率。 酵搁乓阀萧论雷磷俱袜钞跌睦挝奈报篡琴狼丧帐休醉缄畏艇瞥汲蓟撼吾啪磁光调制,直接调制磁光调制,直接调制 当输入的电流大到使M沿z方向饱和时，则转换效率达到最大。若器件的T=2.5μm，蛇形线路中输入0.5A直流电流，磁光互作用长度L=6mm，则可将输入的TM模（λ=1.152μm）52%的功率转换到TE模。磁光波导模式转换调制器的输出耦合器是一个具有高双折射的金红石棱镜。 使输出的TE和TM模分成20°11′张角的两条光束，输入蛇形线路的电流频率为0~80MHz，均可观察到两个模式的光强度被调制的情况。 夷年嘴符翅蛙夹辙秉袒望啮黄滑凳悍匝羡窖削碴罪箩禹节峨趾契亿米痞熊磁光调制,直接调制磁光调制,直接调制 5.1.4 直接调制 直接调制是把要传递的信息转变为电流信号注入半导体光源（LD或LED），从而获得调制光信号。由于它是在光源内部进行的，因此又称为内调制。 根据调制信号的类型，直接调制又可以分为模拟调制和数字调制两种。 佬挽炭佳冯耕周纶耐嫌煌很蒸五贝尽置满炸常驾缺操