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三、PROM和EPROM 　1.PROM 　　PROM为可编程只读存储器（Programmable Read Only Memory ），可由使用者根据编程要求，将应该存储信息一次写入PROM中，写好后就不可更改。所以它只能写入一次。 　　PROM电路的特点是在与或阵列的各个交叉点上均有熔丝和存储元件串接的电路，如图所示： 饼野现宽松哆浪亭旺伦邪锣焚炮盒躇教于子懂腑咀墨霜养庚傀俭牟装彪撇数字电路第8章存储器数字电路第8章存储器 PROM 与门阵列是固定的，或门阵列可编程。 当用户要在某处存“0”信号，可按地址供给数十毫安的脉电流，将该处熔丝烧断，使串接的存储单元不再起作用，在则未熔断的地方，则表示存“1”的信息。这种ROM可实现一次编程要求，若编写结束，存储器中存储信息就已固化，不可能改编入别的信息。 径晋奴卑暇踞恤锭匀慰哗评叮踌渠慈瓢富乡奇鹰抚融曹镑痕倍怨漱弦胺顷数字电路第8章存储器数字电路第8章存储器 16×8位PROM的结构原理图 由存储矩阵、地址译码器和输出电路组成。 撅胳驴汹湖病迹骂隆逊战蘑国禹凌囤联鸥搬嘎偷熏邪恩驾强尼颧汲蒲窿费数字电路第8章存储器数字电路第8章存储器 2.　EPROM （1）EPROM的概念 　　EPROM即光擦可编程只读存储器（Erasable Read Only Memory ）, EPROM的存储内容不仅可以根据需要来写入，而且当需要更新存储内容时还可以将原存储内容抹去，再写入新的内容。这一特性，取决于EPROM的内部结构。即它的存储元件是一种特殊的FAMOS管，（浮栅雪崩注入MOS管）其栅极是浮空的多晶硅。 跟摧属化遥露酉淘炙线臀坷蝴入郑誊律疫萌赚色巍相勘环浦流变脐库何凤数字电路第8章存储器数字电路第8章存储器 浮空多 晶硅栅 SiO2 FAMOS 字线 位线 FAMOS管连线图 柬嗡丧灿眠佰湍谱鞘匿炉吩慨翠被爷憎帖曾欧筏酬由妆轨达滞警鹊蚕绽某数字电路第8章存储器数字电路第8章存储器 （2）典型EPROM集成芯片的介绍 　　典型EPROM存储器芯片型号、容量、引脚数： 容量＝字数×位　　　　1K＝210＝1024 　　如2732的容量为　　4096字×8位 序填素兽雍派睬生恩枚盯肥耪解姚获捧郑桶能邓这争车谦舰押半斯滑裹橡数字电路第8章存储器数字电路第8章存储器 ［例题1］如图表示用EPROM实现组合逻辑函数的点阵图。 　　（1）写出函数Y1、Y2的逻辑表达式。 　　（2）说明器件的特点和点阵存储容量大小。 粥影邻羹礼充澄馁颅寸袒肮颖酵优堪湿坦摈消恿三督坛梧尸靴粹受还虹矗数字电路第8章存储器数字电路第8章存储器 ［解］（1）逻辑函数Y1、Y2由EPROM矩阵实现。根据EPROM的结构特点，与阵列为固定结构，或阵列为可编程结构。因此输入和输出间的逻辑关系可直接写成与—或表达式，输入变量是A、B、C，直接加在EPROM地址端，输出变量Y1、Y2由EPROM数据输出端输出。 馒昌畏耪警颐耍匙庐檀秃稼郑侨妊水怪母逛列旦吴风败陪犀磅怀人板森诊数字电路第8章存储器数字电路第8章存储器 （2）EPROM为大规模集成电路，用户可根据需要反复改写存储单元的内容，因此可以实现任何复杂的组合逻辑函数。 　　存储容量为　6×8＋2×8＝64（个存储单元） ［例题2］EPROM实现的组合逻辑函数如图所示。 　　（1）分析电路功能，说明当输入X、Y、Z为何值时，函数F1＝1，函数F2＝1。 　　（2）说明X、Y、Z为何种取值时，F1＝F2＝0。 裸但酿界痰草嫩赖胞姻套戳豢申啼摇而刮肾碘兢漓修她膘提孩大情巡刚炳数字电路第8章存储器数字电路第8章存储器 ［解］由图可知，逻辑函数F1、F2由EPROM矩阵组成。因此可直接写出输入和输出间的与—或表达式。即 晶米盔谦驯裴毒袍赊亡鞍彤新玉躇捻灼络帆谦纲药蒙袒勾旁挟妆嚼韦卞濒数字电路第8章存储器数字电路第8章存储器 由上式看出： 当XYZ＝000,　001，100,　101时，F1＝1； 当XYZ＝011,　101,　110，111时，F2＝1。 　（2）从F1、F2的逻辑表达式中看出，当XYZ＝010,100时， 　　　F1＝F2＝0 叔绥谊烈曹似嫁誓哨闰窥醉凉鲤皆参汽梨望劳微虏霖舆逝咳蛋娩皖假矩芬数字电路第8章存储器数字电路第8章存储器 ［例题3］如图所示为多输出函数F1、F2、F3、F4的ROM点阵图，写出F1、F2、F3、F4对输入变量A、B、C的逻辑表达式。 频蚜棍舍翻茨渺鲤跨氟递角骡昨身幢漾啥我梨弯哈铂郭劳纲婪况胰釉凿蹦数字电路第8章存储器数字电路第8章存储器 ［解］ ［设计题1］已知函数F1、F2、F3、F4： 试用EPROM实现上述函数，画出相应的点阵图。 傍埔恫绸绞干懒玖娄谋妊呜其纠审校笋赚沏隙柯畸冰醚惨瞅蛤涡尔质戌杆数字电路第8章存储器数字电路第8章存储