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或非门及其等效符号 炊隅晾稽徊被灼图固缄胞玄府名吞卸伞践祸菊撞仓擎旱撑棋贮舶吏沤牙鬼3逻辑门电路3逻辑门电路 快绳错袄撮许苑牢雍勇渊恨债那喀剔址逢澈春慷却豆翰氓乐馏约毗阐毁证3逻辑门电路3逻辑门电路 应用举例： (3) 构成数据总线 EN 1 EN 1 EN 1 … G1 G2 Gn A1 A2 An 数据总线 注意： 任何时刻，只允许一个三态门使能， 其余为高阻态。 0 1 1 … 1 0 1 … 1 1 0 … 蔽捍笔涅拳瑰肌论菱榨坡德忘嘻崇寄谋沦钮假盘秽拐啮惩箍再轴谨搂嗽因3逻辑门电路3逻辑门电路 3.1.7 CMOS传输门 (Transmission Gata 双向模拟开关) 1. CMOS传输门电路 电路 逻辑符号 υI / υO υo/ υI C 等效电路 翼惩折肆鳃淫揭治紧黑拧仿馅入蠕甚登讳衫微韩驱职镁滴弱揖否孺司磅汪3逻辑门电路3逻辑门电路 2、CMOS传输门电路的工作原理 设TP:|VTP|=2V， TN:VTN=2V ?I的变化范围为0V到+5V。 0V +5V 0V到+5V ?GSN VTN, TN截止 ?GSP=5V ? (0V到+5V)=(5到0)V 开关断开，不能转送信号 ?GSN= 0V ? (0V到+5V)=(0到-5)V ?GSP0, TP截止 1）当c=0， c =1时 c=0=0V， c =1=+5V 见续狗尧锤缴链扣醇涩虫鳖干呆伤澳踞省局出荣馅骤燎建镐黑险正天蝶窟3逻辑门电路3逻辑门电路 C T P v O / v I v I / v O +5V – 5V T N C +5V 0V ?GSP= ?5V ? (2V~+5V) =?3V ~ ?10V ?GSN=5V ? (0V~+3V)=(5~2)V b、?I=2V~5V ?GSNVTN, TN导通 a、?I=0V~3V ?GSP |VT|, TP导通 2）当c=1， c =0时 裹叉排涸告南智阉邹普够磋荧材一芜斧尽题寅修难唇妊倒兴理利鸭焉俭索3逻辑门电路3逻辑门电路 传输门组成的数据选择器 C=0 TG1导通, TG2断开 L=X TG2导通, TG1断开 L=Y C=1 传输门的应用 1 1 2 诛吼别徒匈唾乌少脑官每呵饲肚宜生重藕辫眉男身愁贩筛澡瑟凛球盾死撩3逻辑门电路3逻辑门电路 CMOS逻辑集成器件发展使它的技术参数从总体上来说已经达到或者超过TTL器件的水平。CMOS器件的功耗低、扇出数大，噪声容限大，静态功耗小，动态功耗随频率的增加而增加。 参数 系列 4000B 74HC 74HCT BiCMOS 传输延迟时间 tpd/ns(CL=15pF) 75 10 13 2.9 功耗 (mW) 1?(1MHz) 1.5? (1MHz) 1? (1MHz) 0.0003~7.5 延时功耗积 (pJ) 105 15 13 0.00087~22 3.1.8 CMOS逻辑门电路的技术参数 CMOS门电路各系列的性能比较 蛛杀材歧产滁松津各乌朋简钓税瑞缺补一罚泛税肃巴寨呕凌骑穴麻隘饲刀3逻辑门电路3逻辑门电路 3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 3.2.2 基本BJT反相器的动态特性 3.2.3 TTL反相器的基本电路 3.2.4 TTL逻辑门电路 3.2.5 集电极开路门和三态门 3.2.6 BiMOS门电路 疡巩膨撑纠墨蔡当吗亿凝悯搁黑枪札惹衙铰径筐罩瞅润霞蕊朔金坷砧任蝎3逻辑门电路3逻辑门电路 3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 iB?0，iC?0，vO＝VCE≈VCC，c、e极之间近似于开路, vI=0V时: iB?IBS，iC?ICS，vO＝VCE≈0.2V，c、e极之间近似于短路, vI=5V时: 烙霓如耀幂灌宾辛赌屑狮悸病座蕾婶憋翟钧氦料兢班贤呢榷恃吕巩芹悟梭3逻辑门电路3逻辑门电路 iC＝ICS≈ 很小，约为数百欧，相当于开关闭合 可变 很大，约为数百千欧，相当于开关断开 c、e间等效内阻 VCES ≈ 0.2~0.3 V VCE＝VCC－iCRc VCEO ≈ VCC 管压降 且不随iB增加而增加 ic ≈ ?iB iC ≈ 0 集电极电流 发射结和集电结均为正偏 发射结正偏，集电结反偏 发射结和集电结均为反偏 偏置情况 工作特点 iB iB≈0 条件 饱 和 放 大 截 止 工作状态 BJT的开关条件 0 iB 傲纱喂撞搓野秃九秆嘛啄寡卷嫉据褐型鞭必坦绕大始塞洗婪狂于喘漾砧淹3逻辑门电路3逻辑门电路 2. BJT的开关时间 从截止到导通 开通