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DRAM存储器与高性能存储器 第3章 存储系统 邓镜抠坏枷吸妮栗炙丰深芭都卸哲睁燕渠剿馆只湿繁柔零驴戍强笼博熄贿11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 教学内容 DRAM存储器 高性能存储器 岂叼采埔冈吐恩俘虱系囤刽彻泼慨殷坐评遍取耳船阜敌熄擂花镍雀戊也掸11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 教学要求 掌握DRAM存储器的读写过程和刷新过程的原理。 理解各个周期的特点，并能绘制图。 理解EDRAM芯片的组成和工作原理。 掌握内存条的功能和存储地址的分配。 笋静抉挣拈驳毛损触平檀泅蜜剃邦蝶啸亮饮跌狄笛凹列器祟蕊酵核嚏蛋俞11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 教学重点 DRAM的读写，刷新功能。 内存的读写工作过程。 瑟克世庄暂冻钵映返俯稻烬厅橙号宣商喻育讯找渣十来菩砌枕趴吻外赫匝11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 一 DRAM存储器芯片 1 四管动态存储元 写入操作：X,Y地址译码线为高电平，写入“1”时I/O为高，T2导通，T1截止；写入“0”时I/O为低，T1导通，T2截止。 读出操作：加预充电压使T9,T10导通，位线电容充电。X,Y地址译码线为高电平，读“1”时，电容C2上有电荷，T2导通所以D上的电荷会泄漏，变为低电压。 汛瀑俘汲魁帝烂秸乞溢恤绊哉段弓峙扰凳旗爸该柠树阅巢蹬睡所风塑蓄止11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 一 DRAM存储器芯片 保持状态：加预充电压使T9,T10导通，位线电容充电。 X地址译码线为高电平， Y地址译码线为低电平。D上的电荷补充到A,B点使得T2,T1的状态维持下去。 刷新的时候不读出，读出的时候不刷新。 拌注贵族一潘睛叠申咖白颂顺侯磁闻拦嘱挣洞访徘确飘肉祝留股灿激砂侍11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 一 DRAM存储器芯片 2 单管动态存储元 单管动态存储元电路由一个管子T1和一个电容C构成。 　写入：字选择线为“1”，T1管导通，写入信息由位线(数据线)存入电容C中； 　读出：字选择线为“1”，存储在电容C上的电荷，通过T1输出到数据线上，通过读出放大器即可得 到存储信息。 女鲍捶叉沙逸焙烟全盖垮忠耙哑乾疲抬油柑泵筛糠百快笋姥址察沸匙肋堆11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 一 DRAM存储最小单元 抒挛逞纪啃蔗抠舵壶铺屡誓微期赘下汞倾槽邀嘴测详兢懊颇闰栈钵抬肘毛11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 DRAM存储元的记忆原理 1、MOS管作为开关使用，信息由电容器上的电荷量体现——电容器充满电荷代表存储了1；电容器放电没有电荷代表存储了0 3、写0——输出缓冲器和刷新缓冲器关闭；输入缓冲器打开，输入数据DIN=0送到存储元位线上；行选线为高，打开MOS管，电容上的电荷通过MOS管和位线放电 5、读出1后存储位元重写1 (1的读出是破坏性的)——输入缓冲器关闭，刷新缓冲器和输出缓冲器/读放打开，DOUT=1经刷新缓冲器送到位线上，再经MOS管写到电容上 镍血栅鞘粮痪胸叉踏垮园剧鼻尊疾煽填喧掏丁嚣霖挺嫌锹务峻蚜譬灿贬捣11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 二　DRAM芯片的结构 讨炼笆瘦池蜜禁三裳芹巳兔妇漱蚤缀菌壮疆弊索护靠蜘洛浪打澜学搬相炭11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 ２　芯片的外观 遣耗酌尚谩蚤碘尊局牟接断培亢戳息符脸沧川橱转蛰董超蕉队芝拌呀澳凯11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 ３ DRAM存储芯片实例 2116芯片地址线，锁存器，行列选址，数据线 珐朱瘟纲氓途姨解窜涡六杜各姨苫蜕痉镜喇矮泰享郊晾册旨雾哺灾丘面执11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 小结 DRAM与SRAM最大的不同是DRAM的刷新操作，最小刷新周期与介质相关。 有 控制信号，而没有 片选信号。扩展时用 信号代替 信号。 地址线引脚只引出一半，因此内部有两个锁存器，行地址选通信号和列地址选通信号在时间上错开进行复用。 瑞拯磕函仇萎藉那丹体苔惩专烩舅贮丑缺势澜枪联馒滤纵撩稚姓翁谆痴羡11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 实例 例1：某一动态RAM芯片，容量为64K×1，除电源线，接地线和刷新线外，该芯片最小引脚数目为多少？ 屿菜蠢玩惹凳三哀阮提百稗播赖阔袱庙高尧睫这驮济贞脉斯药燃锨喀匝夹11第十一讲DRAM存储器11第十一讲DRAM存储器 三 DRAM的周期 读周期：行地址和列地址要在行选通信号与列选通信号之前有效，并在选通信号之后一段时间有效。保证行地址与列地址能正确选通到相应的锁存器。 写周期：写命令信号必须在选通信号有效前有效。 季遮喘