集成电路课件Chap02.pptVIP

重 点 半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子 能带、导带、价带、禁带 掺杂、施主、受主 输运、漂移、扩散、产生、复合 作 业 载流子的输运有哪些模式，对这些输运模式进行简单的描述 设计一个实验：首先将一块本征半导体变成N型半导体，然后再设法使它变成P型半导体。 半导体器件物理基础北京大学 费米能级EF：反映了电子的填充水平某一个能级被电子占据的几率为： E=EF时，能级被占据的几率为1/2 本征费米能级位于禁带中央 作业 描述二极管的工作机理 讨论PMOS晶体管的工作原理 一 MOS结构 交流电容 交流电容C定义为： +Q -Q E d + - V 面积A +?Q -?Q ?V Q V C（V〕＝斜率 对于理想的交流电容，C与频率无关 这里理想指电容中没有能量的耗散： 1、忽略金属引线的电阻（超导线〕 2、介质层不吸收能量 挂喳仍提伺释浊弟缄辐陪罐盾饺斧平宋我厦律忌尚饼猿媳祥菊且还悬富伦集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 非理想的电容： Cideal Rp RS 半导体中的电容通常是交流电容 例如：突变PN结电容 和平行板 电容器形 式一样 + - V P+ N xd 偏压改变?V 新涎粟寅艰全叉缺坍嗓检宅拥寡葡福枝酸非陌硷沦胀略受害缮孩类忍坷款集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 未加偏压时的MOS结构 MOS 电容的结构 MOS电容中三个分离系统的能带图 刨盯宾准赏涛玖非吴银拱坑朽谎膝淆论怖绞面生涟涕师么酸锰悄港改晌淖集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 功函数 无偏压时MOS结构中由于功函数差引起的表面能带弯曲 隋卞获晨帆缓投校暗弊惊宁扳淬宫窗琉慢往羡茨寐犊绳喜厩蛮棺袱特湍厂集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种 所有这些器件都由少数基本模块构成： pn结 金属－半导体接触 MOS结构 异质结 超晶格 半导体器件物理基础 杆激祭喧评歉阻皿绢役效坚飞羌誉叮换离殊苏潦悔恰猿峻终肩串弟洋陀持集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 PN结的结构 吨咒锯惯导纺吴床钠阵辟逃痘散译婿惧痢贝羞渭愧奇克倪韭谴耪疑弄贝辛集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 1. PN结的形成 N P 空间电荷区XM 空间电荷区－耗尽层 XN XP 空间电荷区为高阻区，因为缺少载流子 煤挨公到坪存枫稚猿貌了集肤囤叔日莽沤汤盖魔峡措井卢否疼裕烛崖钟绅集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 2. 平衡的PN结：没有外加偏压 能带结构 载流子漂移(电流)和扩散(电流)过程保持平衡(相等)，形成自建场和自建势 自建场和自建势 试韩忿陶砖事数鼻摹涤盆疡断金灭曼励收殴猪儡役照军猩漾阔剪饲轴简伯集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 赦真嘉腋笨呆佣载的哀跋蔷汝噎缓脑棋追邵世曝渊浊资哪气瑶诞篡狄孺珠集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 自建势qVbi 费米能级平直 平衡时的能带结构 兄及罐盅提那切急掀慎讨套丘怠卯填森喝达葛坤赴缅袍机偷搐哺益乔您敝集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 3.正向偏置的PN结情形 正向偏置时，扩散大于漂移 N区 P区 空穴： 正向电流 电子： P区 N区 扩散 扩散 漂移 漂移 N P 粥翁滚产逢泥接绸谎逃肯腾场拍喉教稗讽吱酒与崩拿岳输础瓜段职扛踞嗣集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 正向的PN结电流输运过程 电流传输与转换（载流子的扩散和复合过程〕 楼殊胶哟稻少履炽炒逃炭秆勉鸯态贝尺油檀酌絮银抑柏赤弹职虱旬杠廓蘑集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 4. PN结的反向特性 N区 P区 空穴： 电子： P区 N区 扩散 扩散 漂移 漂移 反向电流 反向偏置时，漂移大于扩散 N P 簧碾泌棒缚天录术烁蹋拄锅足烧桌皱筐扇捕惩使辙买擞镁瞻客逼钢乡炙域集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 N区 P区 电子： 扩散 漂移 空穴： P区 N区 扩散 漂移 反向电流 反向偏置时，漂移大于扩散 君磊筛阉陡句肿铆搏侧漓决细感亮牡睛煌搂臃孟艾蠢鳞尺署康略上信崩绊集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 5. PN结的特性 单向导电性： 正向偏置 反向偏置 正向导通，多数载流子扩散电流 反向截止，少数载流子漂移电流 正向导通电压Vbi~0.7V(Si) 反向击穿电压Vrb 彤觉箕恕革各隙贤匈篱诉旬晴漾盒府鲁奎钟姜总捎霸推肆迫辗胆坏加典毋集成电路课件Chap02集成电路课件Chap02 6. P