薄膜生长的成核长大热力学.pptVIP

二维生长时临界晶核的大小： 单原子层高 即使欠饱和，也可以成核 问题1：A /B 和 B / A ?? A / B B / A S-K 岛状生长 问题2：用原子模型讨论同质外延生长时在台阶或扭折地方的成核。 O h1 h2 h1 a1 a2 ai aS Capillarity theory由于不涉及具体原子构形，只是定性理论，不能作为定量考虑，但是可以说明不同的参量比如衬底温度，沉积速率，临界核半径的关系 * 薄膜生长中的均匀成核是在气相过饱和度很高的时候，这时在气相中成核长大，落到衬底上使薄膜质量变差 成核功的最后一个等式推导需要用到wulff定律 * S的变化有两方面的结果 * 推导过程可以参考“Crystal Growth for Beginners”第二章 * NA是阿氏常数 * 这里以表面能作为表面张力的近似 * 临界晶核横向尺寸大小只与其内部原子键能相关，而与膜-衬底之间的原子键能无关 * 考虑应变后的情况比较复杂，因为应变既会使体自由能发生变化，也会使所有面上的表面能发生变化 * 参考书P384 也可对过饱和度或单原子自由能变化作微分考虑 * 不论是同相成核还是异相成核，气固界面都应出处达到平衡，因此在这些界面上的形貌参数如曲率半径应该是相同的。 * * 图示 * 图示说明扁平核与细长核的条件 实际情况中还要考虑表面钝化的影响 临界晶核横向尺寸大小只与其内部原子键能相关，而与膜-衬底之间的原子键能无关 临界晶核横向尺寸大小只与其内部原子键能相关，而与膜-衬底之间的原子键能无关 * 增原子与缺陷的结合能常常大于增原子和完整表面的结合能，因此晶核会首先在缺陷处形成。 非晶态半导体膜和金属多晶膜复合在一起时晶化温度可以降低300K，意味着晶化是在三叉晶界凹陷处开始的。 * Assuming Lennard-Jones interatomic forces, Benson and Shuttleworth [1951] have found a decrease of 15% for the surface energy of a close-packed cluster consisting of 13 atoms as compared with the energy of a flat surfaxe. * 临界晶核横向尺寸大小只与其内部原子键能相关，而与膜-衬底之间的原子键能无关 04.16 * 一开始是层状生长，后面是岛状生长，看什么时候开始岛状生长 假设岛是完全驰豫的，而膜在成核前后有应力变化。 The last term is interpreted as the difference in epilayer strain energy per unit area after the island nucleates (1/2Ye2h) relative to that in the epilayer prior to island nucleation (1/2Yf2h). * 参考书2， P147 * * “The surface science of titanium dioxide” * 要使能够成核，需要自由能表达式的L^2的系数为负，可以得出结论 * (a) Growth of A on B, where gAgB; misfit dislocations are introduced, or islands form after a few layers have been deposited; (b) growth of B directly onto A as islands. The interfacial energy g* represents the excess energy over bulk A and B integrated through the interface region; * 温度和沉积速率的影响： 讨论：T?，R ? 一般情况下 温度和沉积速率对微结构的影响:Cu/NaCl(111) 晶核外形为四方柱： 多变量函数极值： L h 讨论：同样可以用体积关系来考虑 在衬底上生长纳米线，纳米盘？ 如ZnO六方盘，六方形柱 晶核外形为圆柱： 多变量函数极值： j q a as ai 衬底缺陷上成核：增原子与缺陷的结合能常常大于增原子和完整表面的结合能，因此晶核会首先在缺陷处形成。 成核功： 多晶衬底的三叉晶界可近似成三角锥 二维成核时的成核功： 自由能变化： 在衬底上形成单原子层的二维晶核也需要一定的成核功 有应变的情况下： 三维成核和二维成核的转变？ 不同情况下成核对比： 临界半径 成核功 均匀成核 非均匀成核