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* * 2．掺杂氧化物的化学气相淀积 二氧化硅要用磷或硼掺杂，可以提高玻璃的介电特性。另外退火时候玻璃能够流动，得到平坦的表面 3. 氧化层抛光（CMP） 4．第九层掩膜(光刻9) “局部互连” 局部互连刻蚀 * LI金属的制作 1.金属钛淀积(PVD工艺) 钛衬垫于局部互联沟道的底部和侧壁上，充当钨和二氧化硅的粘合剂 2. 氮化钛(TiN)淀积 TiN淀积于钛金属层的表面，充当金属钨的阻挡层 3. 钨淀积(CVD工艺) 4. 磨抛钨(CMP工艺) 九．通孔1和钨塞1的形成 * 通孔1的制作 1．第一层层间介质氧化物淀积（CVD） 2．氧化物磨抛（CMP） 3．第十层
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