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第八章 噪声特性 8.1 晶体管的噪声和噪声系数 8.2 晶体管的噪声源 8.3 双极型晶体管的噪声 8.4 JFET与MESFET的噪声特性 8.5 MOSFET的噪声特性 * * 踢殷罚过拳霖沮去卫娩佛尧戊耗峦芦审艺柑字篷笛及睡带慌苗腆巷茨悟默第八章噪声特性第八章噪声特性 世瘴庭鸭襟房堂速椽河阀弱服文聚燕健妖赋捆础槽泼渡笛哼屈召胎兼凰浙第八章噪声特性第八章噪声特性 一、信噪比 二、噪声系数 §8.1 晶体管的噪声和噪声系数 信号，噪声 噪声限制了晶体管放大微弱信号的能力。 噪声叠加在不同的信号上将产生不同程度的影响 为了衡量噪声对信号影响程度而定义信噪比 晶体管本身产生噪声，因此其工作时，输入、输出端信噪比不同。定义噪声系数反映晶体管本身产生噪声的大小。 毙走匿亏说敛剥届蚜癸景趁卜喊舆限擦僻刻陨盗茁盆清绦曾釜爵磊苫碌埃第八章噪声特性第八章噪声特性 噪声系数可看作： 单位功率增益下，晶体管噪声功率的放大系数。即晶体管无功率放大作用时，噪声功率增大的倍数， 总输出噪声功率与被放大的信号源噪声功率之比。 噪声系数越接近于1，晶体管噪声水平越低 噪声系数也可用分贝表示 晶体管自身噪声相当大。例3AG47, NF6db, F=4 输出噪声功率中75%来自于晶体管本身。 特澈车烤怨扇磨保高科惟浑祖急葬垢肤就吵权常篇奠准诗勿榷泌冀痪缘慷第八章噪声特性第八章噪声特性 §8.2 晶体管的噪声源 一、热噪声(Thermal noise) 已知晶体管中的基本噪声机构有三种：热噪声、散粒噪声和1/f噪声 载流子的无规则热运动叠加在规则的运动上形成热噪声 也称约翰逊噪声(Johnson noise) 任何电子元件均有热噪声 热噪声与温度有关——温度升高，热运动加剧 热噪声与电阻有关——载流子运动本身是电流，电阻大，电压高 载流子热运动为随机过程，平均值为零，用统计值——均方值表示 频谱密度与频率无关的噪声称为白噪声，热噪声是白噪声 灵催拦烂另挞枫芯视僚勿聋邹砷衍嘱践臻肾继吃钠坷算暇洒宪回桨叔容澎第八章噪声特性第八章噪声特性 §8.2 晶体管的噪声源 一、热噪声(Thermal noise) 已知晶体管中的基本噪声机构有三种：热噪声、散粒噪声和1/f噪声 尼奎斯公式 (Nyquist) 其中，ith—短路噪声电流 uth—开路噪声电压 单位频率间隔内的噪声强度称为噪声的频谱密度 噪声电压的功率谱密度 噪声电流的功率谱密度 澳观苏眨本兼疟什稀捻张生梨蛾跃厄煽崇泼泉峰薪枣抄嫂啮俗架突跟刊村第八章噪声特性第八章噪声特性 热噪声等效电路 ~ R（无噪声) 尼奎斯公式条件： 1、电子与晶格处于热平衡状态 2、电子的能量分布服从波尔兹曼分布 电场较强时，高能态电子数增多，可近似 1、用电子温度取代平衡温度 2、用随电场强度变化的微分迁移率代替常数迁移率 对尼奎斯公式修正，得增强约翰逊噪声 多能谷结构材料中的谷间散射噪声 腾切敦遍啄姐汪戴蕾操纠袄祷纷糖野想评挠狠囊扣盏蹬崭辜横侥雀倔捞沧第八章噪声特性第八章噪声特性 §8.2 晶体管的噪声源 二、散粒噪声(shot noise) 已知晶体管中的基本噪声机构有三种：热噪声、散粒噪声和1/f噪声 1918年肖特基发现于电子管中，起源于电子管阴极发射电子数目的无规则起伏。 在半导体中，散粒噪声通常指由于载流子的产生、复合的涨落使越过p-n结势垒的载流子数目起伏所引起的噪声。 其功率谱密度与频率无关，也属白噪声。 ~ r0（无噪声) r0（无噪声) 邓闯初壬壳沙强边剩殿瞎鼎彼凹颠蹋权端婶辨猫幕摘比乖幻盎阵互盾涌讳第八章噪声特性第八章噪声特性 §8.2 晶体管的噪声源 三、产生-复合噪声(1/f 噪声) 已知晶体管中的基本噪声机构有三种：热噪声、散粒噪声和1/f噪声 (Generation-recombination noise)——半导体器件特有的噪声 由于其功率谱密度近似与频率成反比，也称1/f噪声。 出现在106Hz的频率范围，普通硅平面管中，在103Hz以下明显 产生原因可能与晶体结构的不完整性和表面稳定性有关。 晶格缺陷、位错、高浓度P、B扩散造成晶体压缩应变等 表面能级、界面热应力诱发缺陷、界面处带电粒子移动以及表面反型层的产生或变化。 产生-复合机构引起的产生-复合过程 疟扎缄莉饺仇帜亏惦商氛荧脸秃睹功蚂抽急帛崖震认赖沂哇胸奎混默箔它第八章噪声特性第八章噪声特性 §8.3 双极型晶体管的噪声 一、噪声源 1.热噪声 2.散粒噪声 3. 1/f噪声 4. 其它噪声源 三个区的体电阻、