第四章 存储系统.ppt

第四章　存储系统 [主要内容]： 1.存储器及有关概念； 2.存储器的结构和工作原理、设计原理和方法； 3.高速主存设置的有关知识； 4.磁表面存储器、光盘存储器的工作原理； 5.虚拟存储器 １概述 一、基本概念 １.存储器：可存储二进制信息的物理载体。 ２.位／bit：存储器中信息的最小单位。 ３.单元：按地址可寻找的存储器最小单位。 ４.存储体：所有存储单元的集合。 ５.编址方式：形成单元地址的方式并确定单元位数。 　·按单元／字编址； 　·按字节编址； 　·按字节／字编址。 ６.存储容量：存储单元的总和。 ７.基本操作：Ｒ／Ｗ。 二、分类 １.按存取方式分 〈１〉随机存储RAM / 顺序存储SAM 〈２〉可读写M / 只读ROM ２.按存储介质分 〈１〉磁存储器 〈２〉半导体存储器 〈３〉激光存储器 ３.按功能与速度分／四级存储体系结构 〈１〉寄存器型／R 〈２〉高速缓存／cache 〈３〉主存／M 〈４〉外存储器／HD、FD、CD ※ 四级存储体系结构 三、主存基本结构与简单工作过程 〈１〉主存结构：存储体加外围控制电路。 〈2〉工作过程： 　CPU执行指令，给出地址，进行R/W操作。 　·读过程：将选中的存储器单元数据→数据寄存 　　　　　　器→CPU ·写过程：将CPU送来的数据→数据寄存器 中，选中存储器单元并写入。 　　 R/W过程称为R/W操作； 对应的时间叫R/W时间，或叫R/W周期。 ２半导体存储器 计算机的主存皆用半导体存储器 特点：速度快 　　　　体积小 　　　　价格相对低 　　　　可靠 　　　　易失性 一、存储单元基本工作原理 存储元——存放信息的最小单位（bit） 可作存储元的器件/材料应具备的特性： ①两稳定状态； ②状态可由外部信号改变； ③可读出； ④可在外部条件不改变时长期保存。 〈１〉静态存储元举例 〈2〉动态MOS存储元 二、静态MOS存储器 静态MOS 存储器的结构 〈1〉 存储体 存储体：所有存储单元的集合。通常用X选 择线(行线)和Y选择线(列线)的交叉 来选择所需要的单元。 〈2〉地址译码器 功能：将地址线的所有组合转换成唯一、 连续的地址空间的单元地址。地址译 码有两种方式。 〈3〉驱动器 增大输出线上的负载存储元数。 〈4〉I / O电路 控制存储器入 / 出数据流向。 〈5〉片选和读 / 写控制电路 选择存储体多个芯片中的一部分，并选 择数据流向。 三态门 〈2〉地址串联法 / 字扩展 特点：增加了单元 / 字个数，字长不变。 例：用16K×8bit芯片构造64K×8bit存储器。 〈3〉字位扩展法 特点：单元数 / 空间与字长皆扩充。 例：用1K×4bit芯片构造4K×8bit存储器 存储器的读 / 写操作 〈1〉读操作与读周期 〈2〉写操作与写周期 五、只读存储器ROM 1.MROM / 掩膜式ROM 〈1〉MOS管工艺的MROM结构 〈2〉特点： 2.PROM/用户可编程ROM 〈1〉熔断型PROM示意图 3.EPROM / 光可擦除可编程ROM 多次紫外线擦除、高电压写入 EPROM存储元示意图 G：栅极； D：漏极； S：源极 4.E2PROM/电可擦写只读存储器 特点：擦/写过程用+5V标准电源,在线式读写。 六、快擦型存储器/闪存—Flash Memory 1. 特点：不需电池、非易失性、体积小、便 携、功耗低、按段 / 整片擦除、速度快 2. 应用：优盘Only Disk/易盘Easy Disk、 MP3播放器、FM调频收/录音机等。 3.Flash Memory与其它ROM比较（见下页表） 七、交叉存储器/并行主存 基本思想：通过改变存储器组织，由并行单元 读取方式改变为并行流水方式，提高内存读 / 写速度。 例：4个存储模块，每个模块8个字的存储体 1. 存储器的组织方式 （a）顺序方式 （b）交叉方式 2. 流水存取示意图 §4 高速缓冲存储器Cache 一、可能性 1.软件方面—程序运行的局部性原理 2.硬件方面—双极型、高速、低功耗存储器件 三、工作过程 CPU 四、地址映射 1.定义：内存块地址转化为