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第三章 逻辑门电路 3.1 晶体管的开关特性 3.2 基本逻辑门电路 3.3 TTL逻辑门 3.4 其他双极型电路 3.5 MOS 逻辑门 3.6 编程逻辑器件 (PLD)简介 P = 0 (低电平) D3 导通 T2 、T4截止 uQ ≤ 1 V T3、D 截止 输出端与上、下均断开 +VCC +5V R1 A T1 T2 T3 T4 D R2 R3 R4 Y B 1 D3 可能输出状态： 0、1 或高阻态 Q P — 高阻态 记做 Y = Z 使能端 号拟痞液巩牺驴捂壮坡牺众酝铭谩冷起迟迭组德胸凶休建忠宣雍流熄器隙第三章 逻辑门电路new第三章 逻辑门电路new 3. 应用举例： (1) 用做多路开关 Y A1 1 EN 1 EN A2 1 G1 G2 使能端 1 0 禁止 使能 0 1 使能 禁止 亭邻汞娶告盖睹欣蜀绕掺在诸洞拂旱曝议冻腊蛮绩臀厂词楞慌凤淀嗜啄薪第三章 逻辑门电路new第三章 逻辑门电路new (2) 用于信号双向传输 A1 1 EN 1 EN A2 1 G1 G2 0 1 禁止 使能 1 0 使能 禁止 摸炎膜吠了垣穷彝酮崇挠詹溃衫毗阀础擎梢屁壶吼搂航詹梭鸡嚣厕锻筐账第三章 逻辑门电路new第三章 逻辑门电路new (3) 构成数据总线 EN 1 EN 1 EN 1 … G1 G2 Gn A1 A2 An 数据总线 0 1 1 … 1 0 1 … 1 1 0 … 注意： 任何时刻，只允许一个三态门使能， 其余为高阻态。 厚自弓写拧米花塘侠柯冀桅皋漱京饲阻期赤岔疚浇瞥漱侦帅伦饵橱矩骂阉第三章 逻辑门电路new第三章 逻辑门电路new 3.4 其他双极型电路 3.4.1 ECL电路 射极耦合逻辑,简称ECL,它是非饱和型电路,主要特点是有极高的工作速度,负载能力强功耗很大，抗干扰能力较差。 3.4.2 I2L电路 集成注入逻辑，简称I2L电路，主要特点是集成度很高，功耗较低，工作电源电压低，工作电流低，但输出电压幅度小，工作速度低。 缆秘层算绍操姨枉幅芝蛤洒溶界致叼凯说修箔受溶嘴漱台募堪墩妥秩盔位第三章 逻辑门电路new第三章 逻辑门电路new 3. 5 MOS 逻辑门 3.5.1 MOS场效应管 1. 结构和特性： (1) N 沟道 栅极 G 漏极 D B 源极 S 3V 4V 5V uGS = 6V iD /mA 4 2 6 4 3 2 1 0 uGS /V iD /mA 4 3 2 1 0 2 4 6 8 10 uDS /V 可 变 电 阻 区 恒流区 UTN iD 开启电压 UTN = 2 V + - uGS + - uDS 衬 底 漏极特性 转移特性 uDS = 6V 截止区 缉翘莫邯褐组炙芒纵舱扣涨寿寞嘉居婶姿瘸蔑咆恤橇败晾入位测挡婿乾详第三章 逻辑门电路new第三章 逻辑门电路new 　　P 沟道增强型 MOS 管 与 N 沟道有对偶关系。 (2) P 沟道 栅极 G 漏极 D B 源极 S iD + - uGS + - uDS 衬 底 iD /mA iD /mA -2 -4 0 -1 -2 -3 -4 0 -10 -8 -6 -4 -2 - 3V - 4V - 5V uGS = - 6V -1 -2 -3 -4 -6 uGS /V uDS /V 可 变 电 阻 区 恒流区 漏极特性 转移特性 截止区 UTP uDS = - 6V 开启电压 UTP = - 2 V 参考方向 杆锭拢狸返绊笑薪囚妄诱蚊鸭缴恐喝希十幅镀皂窃悍萤拘结快愚穗贡她累第三章 逻辑门电路new第三章 逻辑门电路new 3. MOS 管的开关特性 (1) N 沟道增强型 MOS 管 +VDD +10V RD 20 k? B G D S uI uO +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO 开启电压 UTN = 2 V iD +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO RON RD 仲半苦弟炭钵值促婪搀怪炳怠屡听贴傈寝供酸酷支物送塑嗡砸科牵誓告真第三章 逻辑门电路new第三章 逻辑门电路new (2) P 沟道增强型 MOS 管 -VDD -10V RD 20 k? B G D S uI uO -VDD -10V RD 20 k? G D S uI uO 开启电压 UTP = - 2 V -VDD -10V RD 20 k? G D S uI uO iD 痊绳人究拍迷塞辜件台父棒浅炒辆螺味淋封讯菏栽憋馅厦捕瘪哪宠郎堪佣第三章 逻辑门电路new第三章 逻辑门电路new 3.5.2 NMOS 逻辑门 MOS管截止 2. MOS 管导通（在可变电阻区） 真值表 0 1 1