材料电学性能材料物理性能笔记专业必备.docVIP

2.1. 固体电子理论 1.经典自由电子学说 自由电子在晶体中的行为如同气体，故又称电子气体 困难： 1）实测的电子对热容的贡献比经典自由电子学说估计值小得多 2）实际测量的电子平均自由程比经典理论估计值大许多 3）绝缘体、半导体、金属导体导电性为何存在巨大差异 2.量子自由电子学说 电子的能量是不连续的，而是存在一准连续的能级 量子自由电子学说尚无法解释为何绝缘体、半导体、金属的导电性能存在巨大差异 量子自由电子学说的局限是忽略了周期势场的影响 态密度物理意义：单位能量范围内所能容纳的电子数 费米能表示0K时基态系统电子所占有的最高能级的能量, 可以认为费米能不随温度变化 3. 有了能带概念，就可以说明金属和绝缘体的区别，并且由能带理论预言了介于两者之间的半导体的存在 单电子近似:假定固体中的原子核不动，并设想每个电子是在固定的原子核的势场中及其它电子的平均势场中运动，这样就把问题简化成单电子问题，这种方法称为单电子近似 能带论: 用单电子近似法处理晶体中电子能谱的理论 紧束缚近似:如果用相反的思维过程，即先考虑电子完全被原子核束缚，然后再考虑近似束缚的电子，也可以得到能带概念，这种方法称为紧束缚近似 原子基态价电子能级分裂而成的能带称为价带，相应于价带以上的能带（即第一激发态）称为导带 金属:热能（T0K）或电场所产生的能量足以将大量电子激发成为自由电子 绝缘体与半导体:半导体与绝缘体的能带结构相同，差别仅在于禁带的宽度 价带顶部并无空能级，要产生自由电子和电子空穴必须使电子跨越禁带以进入导带，所需能量较大。一般地，激发能量由热或光提供，而非由电场提供 非晶态： 扩展态：电子可在整个晶体中运动的电子态 定域化 定域态的能量被局限在一个范围内 迁移率边：扩展态和定域态之间有一个能量的分界 2.2. 材料电导性能 电导率：σ=nze（v/E）） 散射越弱，τ(松弛时间)越大，迁移率也就越高 晶格散射：晶格振动引起的散射。温度↑，晶格振动↑，晶格散射↑对于低掺杂半导体：μ随T升高而大幅度下降 电离杂质散射：电离杂质产生的正负电中心对载流子的吸引或排斥作用产生的散射。温度↑，载流子运动速度↑，所受吸引和排斥作用的影响↓，散射作用↓对于高掺杂：μ随T升高变化小 本征半导体：载流子只由半导体晶格本身提供，即电性由纯物质本身电子结构决定 本征电导：导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在的电导现象 特征：本征电导的载流子电子和空穴的浓度是相等的，载流子是由热激发产生的，载流子浓度与温度成指数关系 n=Nexp[-Eg/(2kT)] N为等效状态密度 可见，对于本征半导体，载流子浓度随禁带宽度的增加而快速减小，随温度增大而快速增加 “多余”的电子所处杂质能级称为施主能级,掺入施主杂质的半导体称为n型半导体 空穴所处杂质能级称为受主能级，掺入受主杂质的半导体称为p型半导体 杂质半导体的载流子浓度与温度的关系也符合指数规律 本征电导率：σ=σ0exp[-Eg/(2kT)] 低温时，本征项起主要作用 高温时，杂质项起主要作用 离子导电：离子电导的微观机制为离子的扩散 影响因素：1）温度 2）晶体结构：Tm/结构紧密↑，晶体结合力↑，活化能↑，电导率↓ 3）晶格缺陷： 热激活缺陷 不等价固溶缺陷 非化学计量比缺陷 在含有碱金属离子的玻璃中，基本上表现为离子电导 双碱效应：是指当玻璃中碱金属离子总浓度较大时（占玻璃组成25～30%），在碱金属离子总浓度相同的情况下，含两种碱金属离子比含一种碱金属离子的玻璃电导率要小。当两种碱金属浓度比例适当时，电导率可以降到很低 压碱效应：是指含碱玻璃中加入二价金属氧化物，特别是重金属氧化物，使玻璃的电导率降低。相应的阳离子半径越大，这种效应越强 电子波的散射是金属中存在电阻的根本原因 导致散射原因：晶格振动，晶体缺陷 在一定的低温条件下材料突然失去电阻的现象称为超导电性 超导体两特性 完全导电性 完全抗磁性 超导转变温度Tc：低于Tc时，超导体便出现完全导电和迈斯纳效应等基本特 三个性能指标 临界磁场Bc：磁场高于Bc，磁力线穿入超导体，超导体被破坏，成为正常态 临界电流密度Jc：Jc为保持超导状态的最大输入电流，输入电流密度JC所产生的磁场与外磁场之和超过BC，超导