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重庆理工大学考试试卷
2014 ～2015 学年第 1 学期
班级 112160101/02 学号 姓名 考试科目 半导体物理与器件[光电] A 卷 闭卷 共 3 页
····································密 ························封 ························线 ································
学生答题不得超过此线
题号 一 二 三 四 五 六 总分 总分人
分数
一、填空题：（每空1分，共26分）
得分 评卷人
1.半导体中的载流子电场作用下会出现 运动，这种运动会受到散射的影响，主要的机制有
和 。如果载流子在半导体材料中分布不均，即会发生 运动。
2.金属和半导体形成的肖特基二极管导电主要依靠 ，其开关速度比pn结 ，所
需的开启电压比pn结 。影响其势垒高度的主要物理因素主要有 和 。
3. npn型双极晶体管的结构特点是 区掺杂浓度最高。当晶体管处于饱和模式时BE结 ，
BC结 ，其共基极电流增益是三个因子的函数： ， 和 。
4.pn结上加反偏电压的电场方向与内建电场的方向 ，此时势垒高度 ，耗
尽层的宽度 ；pn结上加正偏电压的电场方向与内建电场的方向 ，此时
势垒高度 ，耗尽层的宽度 。
5.影响MOS场效应晶体管的非理想效应主要有 、 、 、
、和 。
二、名词解释（每小题4分，共24分）
得分 评卷人
1.费米能级
2.雪崩击穿
3.二维电子气
4.载流子的复合
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重庆理工大学考试试卷
2014 ～ 2015 学年第1 学期
班级 112160101/02 学号 姓名 考试科目 半导体物理与器件[光电] A 卷 闭卷 共 3 页
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学生答题不得超过此线
5.简并半导体
6. 施主能级
–14 -34 8 -19 7
ε=8.85×10 F/cm h=6.625×10 J·s c=3×10 m/s e=1.6
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