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重庆理工大学考试试卷
2014 ～2015 学年第 1 学期
班级 112160101/02 学号 姓名 考试科目 半导体物理与器件[光电] B 卷 闭卷 共 3 页
····································密 ························封 ························线 ································
学生答题不得超过此线
题号 一 二 三 四 五 六 总分 总分人
分数
一、填空题：（每空1分，共26分）
得分 评卷人
1.没有杂质原子或缺陷的半导体为 。半导体材料掺入 杂质形成p型半导体，
掺入 杂质形成n型半导体；它们紧密接触后在冶金结两端形成 ，又可称之
为 、 、和 。
2.金属与半导体接触可形成整流的 和非整流的 。两种不同的半导体
材料接触可以形成 。
3. 目前广泛应用的半导体光器件主要有 、 、 、
和 。
4. 当双极晶体管其处于截止模式时BE结 ，BC结 ，影响晶体管特性的非理想效应主要
有 、 、 、 、和 。
5. 金属氧化物半导体场效应晶体管的核心是 ，根据导电类型和零栅压有无导电沟道可分为
四种类型： ， ， 和 。
二、名词解释（每小题4分，共24分）
得分 评卷人
1.杂质补偿半导体
2.受主能级
3.载流子的产生
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重庆理工大学考试试卷
2014 ～ 2015 学年第1 学期
班级 112160101/02 学号 姓名 考试科目 半导体物理与器件[光电] B 卷 闭卷 共 3 页
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学生答题不得超过此线
4.阈值电压
5.双极输运方程
6.热电子发射效应
–14 -34 8 -19 7
ε =8.85×10 F/cm h=6.625×10 J·s c=3×10 m/s e=1.6×10 C v =10 cm/s
三、计算及作图题(共50分) （物理常数： ， ， ， ， ）
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