介损测试原理及应用.ppt

电压作用下电介质中产生的一切损耗称为介质损耗或介质损失。如果介质损耗很大，会使电介质温度升高，促使材料发生老化，如果介质温度不断上升，甚至会把电介质融化、烧焦，丧失绝缘能力，导致热击穿，因此，电介质损耗的大小是衡量绝缘介质电性能的一项重要指标。 然而不同设备由于运行电压、结构尺寸等不同，不能通过介质损耗的大小来衡量对比设备好坏。因此引入了介质损耗因数tgδ（又称介质损失角正切值）的概念。 介质损耗因数的定义是： 介质损耗因数tgδ只与材料特性有关，与材料的尺寸、体积无关，便于不同设备之间进行比较。 COPYRIGHT(C) WWW.SCEEC.COM ALL RIGHTS RESERVED. 『测量介质损耗因素的意义』 测量介质损耗因素的意义 测量介质损耗因数tgδ判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。它能反映出绝缘的一系列缺陷，如绝缘受潮，油或浸渍物脏污或劣化变质，绝缘中有气隙发生放电等。这时流过绝缘的电流中有功分量IRX增大了，tgδ也加大。 按照电力设备预防性试验规程的规定，对多种电力设备（如电力变压器、发电机组、高压开关、电压电流互感器、套管、耦合电容等）都需要做介质损耗因素（tgδ）的测量。 所以tgδ试验是一项必不可少而且非常有效的试验。能较灵敏地反映出设备绝缘情况，发现设备缺陷。 COPYRIGHT(C) WWW.SCEEC.COM ALL RIGHTS RESERVED. 『测量介质损耗因素的意义』 测量介质损耗因素的意义 西林电桥 （如QS1） COPYRIGHT(C) WWW.SCEEC.COM ALL RIGHTS RESERVED. 『介质损耗因数（tgδ）原理』 介质损耗因数（tgδ）测量原理 电流比较仪电桥 （如QS30） 数字型高压介损测试仪 （目前广泛使用的介损仪） COPYRIGHT(C) WWW.SCEEC.COM ALL RIGHTS RESERVED. 『介质损耗因数（tgδ）原理』 介质损耗因数（tgδ）测量原理 QS1电桥是80年代以前广泛使用的现场介损测试仪器。试验时需配备外部标准电容器（如BR16型标准电容器），以及10kV升压器及电源控制箱。需要调节平衡，结果需要换算，使用不太方便。 COPYRIGHT(C) WWW.SCEEC.COM ALL RIGHTS RESERVED. 『介质损耗因数（tgδ）原理』 介质损耗因数（tgδ）测量原理 高压西林电桥是由：交流阻抗器、转换开关、检流计、高压标准电容器等组成。 调节R3、C4使电桥平衡，此时a、b两点电压幅值相位完全相等，即R3、C4两端电压相等。 COPYRIGHT(C) WWW.SCEEC.COM ALL RIGHTS RESERVED. 『介质损耗因数（tgδ）原理』 介质损耗因数（tgδ）测量原理 因为交流电路中电容阻抗为 电路中R4、C4的并联阻抗为两者倒数和的倒数 按阻抗元件分压原理，不难得到： COPYRIGHT(C) WWW.SCEEC.COM ALL RIGHTS RESERVED. 『介质损耗因数（tgδ）原理』 介质损耗因数（tgδ）测量原理 经过运算，按复数相等实部、虚部分别相等的规定可得到： 按串连模型介损定义：,由于R4是固定的3184Ω，频率是50Hz、C4单位为μF时，tgδ=C4，因此可以在C4刻度盘上读出介损，通过R3、R4、Cn可以计算Cx。 现场使用QS1电桥时，需要先将升压装置，标准电容器和电桥等进行连线，然后调节R3和C4，使得检流计指示为零。这时电桥平衡。读得C4值即为tgδ值，R3值经过计算可得出被试品电容值。总之现场操作使用都比较麻烦，抗干扰能力差，已经不能适应现在电气试验工作的需要。 COPYRIGHT(C) WWW.SCEEC.COM ALL RIGHTS RESERVED. 『介质损耗因数（tgδ）原理』 介质损耗因数（tgδ）测量原理 电流比较仪电桥的工作原理是采用安匝平衡的原理。平衡过程见右图，当交流电源加在试品、标准电容器和电桥及地之间，在试品上产生一个电流Ix，在标准电容器上也产生一个电流In，当两个电流流过Wx、Wn时，由于Ix、In两个电流的相位、幅值不相同，使Wd 有电流Id产生，通过调整Wx、Wn、C、R使Ix、In两个电流的幅值相同，相位相反。 COPYRIGHT(C) WWW.SCEEC.COM ALL RIGHTS RESERVED. 『介质损耗因数（tgδ）原理』 介质损耗因数（tgδ）测量