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代入 当天线的臂长在 范围, 半径在 范围 ,可采用 2.3.2二元耦合对称阵子的互阻抗 相距较近的天线之间将发生很强的电磁耦合,它们周围空间的电磁场要发生变化,每个天线上的电流、辐射功率和输入功率也将改变。因此,与电流、功率相联系的辐射阻抗和输入阻抗也将发生变化。我们将相互靠得较近的那些天线称为耦合天线。 在天线阵内每一天线元的辐射阻抗包括两部分: 一部分是天线元自身的自阻抗,另一部分是受其它天线元影响的互阻抗. 二元耦合振子 二元耦合振子的等效电路 可用天线单独存在时的自阻抗代入 天线1与2之间的互阻抗,为天线1(2)上的输入端每单位电流产生于天线2(1)上的开路电压 根据互易定理 :振子1单独存在时辐射阻抗,称为自阻抗 :振子2单独存在时辐射阻抗,称为自阻抗 :振子2对振子1影响的感应辐射电阻,称为互阻抗 :振子1对振子2影响的感应辐射电阻,称为互阻抗 天线1和天线2的辐射阻抗为 天线的输入端电流 关于天线的自阻抗已经讨论,下面讨论如何求解天线的互阻抗。 假使天线1的输入端电流I1在天线2的表面产生电场切向分量EZ1,由于假定天线2是理想导体,它的表面电场应为零,天线2上便感应产生一反方向的电场(-EZ1),此反方向的电场在dz元内产生感应电势(-EZ1dz),并在天线2上引起电流I2Z,于是在天线2内消耗的功率是 另一方面,假使天线1的电流I1在天线2的输入端引起的开路电压为U21,则因天线2输入端电流为I2,天线1辐射到天线2的功率应为 所以有 或者 按照互阻抗的定义 上式的计算非常复杂,现在只将应用最广泛的两相互平行的半波天线在不同的H/?,d/?时的互阻抗之列成图表在附录中可查. 当两天线互相接近时,最后合而为一时,天线2上的感应电势变为天线1上的自感应电势,计算结果就是自阻抗。 两种典型排列的耦合对称振子的互阻抗曲线 两个耦合振子之间的互耦强弱,主要反映在互阻抗值上。由上面两种情况的互阻抗随间距的变化可见: ① 互阻抗值随间距的变化呈波动变化,而且间距愈大,互阻抗值逐渐变小,呈“衰减状”,这说明两振子之间的互耦随间距增大而减小; ② 平行排列的两个振子之间的互阻抗的变化幅度比共轴排列的要大些,说明前者的互耦要强些。 ③ 互阻抗的实部R12有正有负,它表示另一根振子在这根振子上附加的感应电动势源而产生的;而自辐射阻抗的实部为大于零的正数,它表示振子单独存在时全部辐射的有功功率均由它吸收。 【例】如图为两种情况的半波振子组成的二元阵,查表计算各振子的辐射阻抗Zr1和Zr2。 两种情况的耦合对称振子 2.4无源天线 前面讨论的二元耦合振子,是每个振子单元都加激励的情况,各自的输入端电压分别为U1和U2。 若两个耦合振子中有一个不加激励,这个不加激励的振子就称作无源振子,或寄生振子。无源振子广泛应用于短波和超短波波段中。例如,八木天线(见书上P131图6-12),就是由一个无源反射器,一个激励振子和多个无源引向器振子组成的。 要计算由一个激励振子和一个无源振子组成的二元阵的方向图、辐射阻抗等参量,首先要确定无源振子上的电流分布及其与激励振子上电流分布之间的关系。如果能调节无源振子上的电流幅度和相位,就能得到二元阵所需要的方向图。 无源振子上的电流幅度和相位的调节,大致可用如下两种方法: ① 改变无源振子的长度,及两振子间距,以改变其自阻抗和互阻抗; ② 在无源振子上接入可变电抗,电抗是一段短路传输线做成,调节短路点位置,可改变接入电抗的大小和相位。 含无源振子的二元阵如图所示。有两种情况,即无源振子接入电抗和无源振子短路。 含无源振子的二元阵 有 天线1的辐射阻抗 图2--17 令 得 如果振子2接可调电抗,有 振子1的输入阻抗(或叫归算于输入电流的辐射阻抗)为 如果振子1为半波振子,则输入电流就是波腹电流。 两个振子的电流幅度比m和相位差?,取决于无源振子的自阻抗Z22 (与l2/λ和a2/λ有关)、互阻抗Z12(与d/λ,l1/λ ,l2/λ有关),以及接入无源振子的可调电抗XL。改变m和α ,都会引起二元阵方向图的变化。因此可以采用改变无源振子长度、两振子间距和可调电抗的办法,来调整二元阵的方向图。 书上P41图2-17给出了半波振子二元阵的H面方向图随无源振子的阻抗相角 及间距d/λ的变化。 若将无源振子的可调电抗短路XL=0,则 2. 无源振子可作为引向器和反射器 如果调节无源振子的长度,两振子间距及可变电抗,使0 απ,即无源阵子上的电流相位超前于激励阵子的相位,则二元阵的方向图最大值指向激励振子方向,无源振子就为反射器;若使πα2π,即无源阵子上的电流相位滞后于激阵子的相位则二元阵方向图最大值指向无源振子方向,无源振子就为引向器
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