半导体照明.pptVIP

半导体照明 --照明领域的又一次革命 方大集团 于国安 二OO四年七月二十五日 一、人类照明的历史 火—人类的文明 灯—延续历史几千年 二、电光源的历史 1879年爱迪生发明白炽灯 荧光灯将电光源带入新天地 三、半导体发光二极管 什么是发光二极管（LED）？ 发光二极管是由数层很薄的搀杂半导体材料制成，一层带过量的电子，另一层因缺乏电子而形成带正电的“空穴”，当有电流通过时，电子和空穴相互结合并释放出能量，从而辐射出光芒。 LED的发展历史 1965年世界上的第一只商用化LED诞生，用锗制成，单价45美元，为红光LED，发光效率0.1 lm/w 1968年利用半导体搀杂工艺使GaAsP材料的LED的发光效率达到1 lm/w, 并且能够发出红光、橙光和黄光 1971年出现GaP材料的绿光LED，发光效率也达到1 lm/w LED的发展历史 80年代，重大技术突破，开发出AlGaAs材料的LED，发光效率达到 10 lm/w 1990年到2001年，AlInGaP的高亮度LED成熟，发光效率达到 40—50 lm/w 1990年基于SiC材料的蓝光LED出现，发光效率为0.04 lm/w 90年代中期出现以蓝宝石为衬底的GaN蓝光LED，到目前仍然为该技术 四、第三代半导体材料 半导体材料的分代 以硅Si为代表的半导体材料为第一代半导体材料 以砷化镓GaAs为代表的化合物半导体材料为第二代半导体材料 以氮化镓GaN为代表的宽带隙化合物半导体材料为第三代半导体材料 GaN半导体材料特点 高温特性，在300℃正常工作（非常适用于航天、军事和其它高温环境） 耐酸、耐碱、耐腐蚀（可用于恶劣环境） 高压特性（耐冲击，可靠性高） 大功率（对通讯设备是非常渴望的） GaN外延片生产 通过MOCVD进行GaN单晶膜外延生长 用蓝宝石为衬底材料 用高纯氨气提供氮源 用金属有机源提供镓、铟、铝源 通过金属有机源化学气相沉积的方法 进行生长 方大集团于2001年9月在国内第一个生产出GaN基LED外延片 方大集团6X2MOCVD设备 GaN基LED芯片生产 通过几十道工序，将GaN外延片加工成为LED芯片，标准芯片的尺寸为0.3X0.3mm一片2”外延片可以加工10000多颗LED芯片 GaN基蓝绿光LED芯片 GaN基大功率蓝光LED芯片 GaN半导体光电器件应用 蓝、绿光LED 全彩色大屏幕 交通信号灯 背光源、仪器仪表指示灯 景观光源 蓝、绿、白光LED 室外大LED全彩色屏幕 LED交通信号灯 城市建筑装饰灯光工程 GaN半导体光电器件应用 蓝光激光器（BLD） 蓝光DVD，双面双密度容量为20G，取代现有红 光DVD，是以后数字电视存储的必由之路 激光打印和显示，生物医疗仪器和设备 ，光谱测量系统 可用于军事领域，450～550nm的蓝-绿光波段对海水是透光的，所以BLD可通过空间卫星、机载平台直接用来对海底潜艇通信，大大提高潜艇的隐蔽性和保密性。这是军事部门长久渴望实现的技术手段。 中国汉级核潜艇 索尼全球首台蓝光DVD刻录机BDZ-S7 五、半导体照明的来临 优异的性能 白光LED 固体冷光源，效率高，绿色环保 寿命长，可以达到10万小时（连续10年） 低电压工作 是照明领域的又一次革命 白光LED的构成方式 基于蓝光LED，通过荧光粉激发一个黄光，组合成为蓝光 通过红、绿、蓝三种LED组合成为白光 基于紫外光LED，通过三基色粉，组合成为白光 美国国家半导体照明计划 从2000年起国家投资5亿美元 到2010年 55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯取代 每年节电达350亿美元 2015年形成每年500亿美元的半导体照明产业市场 日本21世纪照明计划 投入资金50亿日元 到2007年 30%的白炽灯被置换为半导体照明灯 欧盟的彩虹计划 应用半导体照明实现： 高效 节能 不使用有害环境的材料 模拟自然光 韩国“固态照明计划” 2004年-2008年韩国政府计划投入1亿美元，企业提供30%的配套资金，近期开始实施，预计2008年LED的发光效率达到80lm/W 中国专家的呼吁 我国有近百名专家（两院院士）联名向国务院呼吁，以三峡工程的5%费用，支持我国的半导体照明产业，用5-10年的时间的努力，1/3照明应用半导体照明，每年可以节约的电量1000亿度，多于一个三峡水电站的发电量（800亿度） 国家启动国家半导体照明工程 六、半导体照明发展现状 发展速度超过人们的预测 技术进步迅速 市场的发展速度领先于