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半导体量子阱与超晶格 量子阱与超晶格 量子阱与超晶格的结构 量子阱与超晶格的吸收与发光 量子阱与超晶格 1969年江崎与朱兆祥提出超晶格概念，以设计高频电子器件。 1973年张立钢与江崎利用MBE生长GaAs/AlxGa1-xAs超晶格。 超晶格种类繁多，常见的是组分超晶格。窄带隙半导体（如GaAs）生长在宽带隙半导体（如AlxGa1-xAs）之间。 只有单层窄带半导体即为量子阱。 早期量子阱、超晶格主要研究电导特性（负阻现象）；现在主要研究光学特性。 半导体量子线与量子点的研究是目前的热点。 量子阱与超晶格 量子阱与超晶格 量子阱：窄带半导体层被夹在厚的宽带隙半导体之间。 类似于一维无限势阱：电子运动量子化，产生分立能级。分立能级依赖于势阱的宽度与深度。 量子阱的分立能级（子带）结构基本保持不变。 量子阱的光学特性 电子只在Z方向的运动是量子化的。 电子和空穴的吸收与发射需满足Δn=0的选择定则（跃迁几率）。 吸收强度与态密度成比例，吸收峰（激子）稍低于台阶处。 吸收光谱是研究量子阱与超晶格的最有效手段之一。 超晶格的光学特性 超晶格中宽带隙材料的物理宽度小（约3nm）时，量子阱之间的电子波函数可以重叠，形成一定宽度的能带。 由于存在轻、重空穴态，实际结果将比较复杂。 11H表示n=1导带电子与n=1价带重空穴的复合发光。 有机电致发光 有机电致发光即发光层为有机材料。 20世纪50年代有机材料蒽单晶在400V电压下发光。 1987年Kodark公司C.W.Deng(邓青云)和Vanslyke将8－羟基喹啉铝（Alq3）作为发光层。 1990年剑桥R.H.Friend 采用了高分子聚合物－聚亚基苯乙烯（PPV）作为发光层。 其他主要发光材料 阴极射线荧光粉 蓝光粉(约440nm) ： ZnS:Ag 绿光粉(约520nm) ：ZnS:Cu,Al;ZnS:Au,Cu 红光粉(约610nm) ： Y2O2S:Eu3+,Y2O3:Eu3+ ,YVO4:Eu3+ * OLED结构 单层结构（电极＋发光层＋ITO电极） 双层结构（DL-A）（电极＋电子输运层（发光层）＋空穴输运层＋ITO电极） 双层结构（DL-B）（电极＋电子输运层＋空穴输运层＋ITO电极） 三层结构（电极＋电子输运层＋发光层＋空穴输运层＋ITO电极） 荧光灯荧光粉(Hg:254nm) 蓝光粉(450nm) ： BaMgAl10O17: Eu 2+ 绿光粉(543nm) ：Y2SiO5:Ce3+,Tb3+; (Ce, Tb)MgAl11O19 红光粉(610nm) ：Y2O3:Eu3+ 等离子体显示荧光粉(Xe:147nm) 蓝光粉(约450nm) ： BaMgAl10O17 : Eu 2+ 绿光粉(约520nm) ：ZnSiO4:Mn2+; BaAl12O19:Mn 红光粉(约610nm) ：(Y,Gd)Bo3:Eu3+, Y2O3:Eu3+ *