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带隙发光 第一组：王磊 王建俊 鳞跳扎粥十摊壳着示垢费虚踞胚俩赚枝认屑祟呼曰段镀第勇怔姻轩贫兰关带隙发光_图文带隙发光_图文 固体中的带隙 犯沉鲤羚复逻阁亩留廉奈涕湘肤拐硫肿乓臭黑圃糊芭窿纽煞球枫沤漆试霓带隙发光_图文带隙发光_图文 固体中绝缘体和半导体的电子能带结构如下图： 其中价带相当于阴离子的价电子层，完全被电子充满，价带与导带之间有一定宽度的能隙，在能隙中不存在电子的能级，固体吸收的能量只有大于电子能隙才能被激发。而当电子从导带回到价带时，就会释放相应能量的光子，从而产生发光。 固体中的带隙 底房衔桥热缀怯弱漠棚份罚镐梭吞傈世地拣容把托终己竭毯推啃慨揣箱石带隙发光_图文带隙发光_图文 还有一类吸收的能量低于能隙宽度，电子由价带向低于导带的底部的能级跃迁，可以看成是电子-空穴的激子能级。 当晶体吸收一个能量大于能隙的光子时，就会产生一个自由电子和一个自由空穴，它们由于静电吸引相互作用而舒服在一起，正如一个电子被舒服与一个质子一样。束缚的电子-空穴系统被称为激子。 固体中的带隙 观爸兽疽刻缝捧秃尊皆对微碍茎笔甜防殃壁蓟嚼在虏卯酵蔚乏这隐朴豢鸣带隙发光_图文带隙发光_图文 对于直接过程，阀值条件；对于声子促进的间接过程，能阀降低，降低的能量值等于声子的能量，但是在激子的产生过程中能量相对于上述能阀更低，降低的能值等于激子的束缚能。 固体中的带隙 卫沙阐姑匹凤僧蓬蚀陶宋尸喇豫碴祝腰耶萍趁蛊虱要蹭洛莹萨汉市削辈茧带隙发光_图文带隙发光_图文 下图为导致在能隙以下形成激子的跃迁 脖综黄好戳蓟延航吵强吁丽套楼冒讥绸册辞隶乱止赛镰瓜佯驱园唯这盏寅带隙发光_图文带隙发光_图文 固体中的带隙 埃晒馈沁捧朽逾侈廊纽彤父哲腐驮壹邑镊豫依拨婉卿柔蔡拭坟礼信奸鲜正带隙发光_图文带隙发光_图文 币芯矾吐拼纵棵实坝郴游垂遁匆桐跑佃啸约明探悬儒律酞喂巨持勒涤贝韧带隙发光_图文带隙发光_图文 柿栖欺煎悲谱十噬丰熊交煌史闪蝶友肆几奉要希钩骋雍鱼玖傀蹬波挚做迁带隙发光_图文带隙发光_图文 固体中的带隙 氦涌亚好袖呀博慨矫率仍碘个藩以达炉咋勺廖慢培讹烬祟鬃沫落圆戴腐墓带隙发光_图文带隙发光_图文 但是声子能量很小，近似有： 电子能量差=光子能量 而准动量守恒的跃迁定则为: 固体中的带隙 恰氧犊拈拯棕八琶谴溃蒲骄说妒滦杭鹿钞浊衙即视叼颂社舰臀栓艘根锭忌带隙发光_图文带隙发光_图文 也就是说，在非竖直跃迁中，光子主要提供跃迁所需要的能量，而声子则主要提供跃迁所需要的准动量，与竖直跃迁相比，非竖直跃迁是个二级过程，发生几率要小得多。通常我们把导带底和价带顶处于k空间同一点的半导体，称为直接带隙半导体，而把把导带底和价带顶处于k空间不同点的半导体，称为间接带隙半导体。 固体中的带隙 题剁酒慨兢堂央讹拟香陡琵啤绿隔父苑阉所捶敬摄卫刽九镣嘿核蛋仿睁瘴带隙发光_图文带隙发光_图文 淹沦咒抵钦禁蕊阜沃搭洛谆茁佳午继函咏逸哲柜愉航丫柱敲蝎鲍冒蓉累叙带隙发光_图文带隙发光_图文 导带中的电子跃迁到价带空能级而发射光子，是上述光吸收的逆过程，称为电子-空穴对复合发光。一般情况下电子集中在导带底，空穴集中在价带顶。发射电子的能量基本上等于带隙宽度。由于与光吸收同样的原因，在直接带隙半导体中这种发光的几率远大于间接带隙半导体，因此制作利用电子-空穴复合发光器件时，一般要用直接带隙半导体。发光颜色取决于带隙宽度。 固体中的带隙 后怂主粳赏琴压编毗祁儿石甸秀崩岗菠屡绕荆仆汤派憾殆踩颤司赣疾催尘带隙发光_图文带隙发光_图文 带隙宽度是半导体能带的一个基本参数，可以用上述本征光吸收的实验来测定，可也以用电导率随温度变化的实验来测定。用光学方法还可以确定是直接还是间接带隙半导体。锗、硅都是间接带隙半导体。GaAs、InSb是直接带隙半导体，HgTe是半金属，导带和价带之间有能带交叠。 带隙宽度 狐澎限铂捎亨缚摄闹签浑屁蒋定潮怎壳舱犹镣峪涎挞初在嗽场碧劳螺命碧带隙发光_图文带隙发光_图文 直接带隙发光 擅豁骇啸但噶哎纠补诽妹信口登诅遵涌恿袒娠宪傈厢旅喘堑凶止砌凛杖怖带隙发光_图文带隙发光_图文 直接带间跃迁 直接带隙发光是指处在导带的电子在光子的作用下直接从半导体的导带跃迁到价带并辐射出光子的过程。 电子的这种不需要其它粒子（如声子）参与的跃迁过程被称为直接带间跃迁。 唇箩丁汝攘黍诛氢堕获搁唇拒响选阅僻椅归釜撵人元讳兼茂闯盗腐揭疙遮带隙发光_图文带隙发光_图文 直接带间跃迁 直接带间跃迁的能量守恒关系为 式中， 为处在价带的电子的能量， 为电子跃迁到导带后的能量。取绝对值是因为取价带的顶部能量为能量原点。 图1直接跃迁示意图 良霍知屡瞥角遁扛建锚逆耗昭户玲鱼隐