半导体物理与器件第四版课后习题答案7.pdf

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2017-02-22 发布于江西
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Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 4th edition Chapter 7 By D. A. Neamen Problem Solutions ______________________________________________________________________________________ Chapter 7 7.1 Vbi = Vt ln???? NaN n 2 i d ???? (a) ( ( )( ) )(i)Vbi = (0.0259)ln?? ?? 2 ×1015 2 ×1015 1.5×1010 2 ? ? ?? = 0.611V ( ( )( ) )(ii)Vbi = (0.0259)ln?? ?? 2 ×1015 2 ×1016 1.5×1010 2 ? ? ?? = 0.671V ( ( )( ) )(iii)Vbi = (0.0259) ln ? ? ?? 2 ×1015 2 ×1017 1.5×1010 2 ? ? ?? = 0.731V (b) ( ( )( ) )(i)Vbi = (0.0259)ln?? ?? 2 ×1017 2 ×1015 1.5×1010 2 ? ? ?? = 0.731V ( ( )( ) )(ii)Vbi = (0.0259)ln?? ?? 2 ×1017 2 ×1016 1.5×1010 2 ? ? ?? = 0.790 V ( ( )( ) )(iii)Vbi = (0.0259) ln ? ? ?? 2 ×1017 2 ×1017 1.5×1010 2 ? ? ?? = 0.850 V _______________________________________ 7.2 Si: ni = 1.5×1010 cm ?3 Ge: ni = 2.4 ×1013 cm ?3 GaAs: ni = 1.8×106 cm ?3 Vbi = Vt ln???? NaNd ni2 ???? and Vt = 0.0259 V (a) N d = 1014 cm ?3 , N a = 1017 cm ?3 Then Si: Vbi = 0.635 V Ge: Vbi = 0.253 V GaAs: Vbi = 1.10 V (b) N d = 5×1016 cm ?3 , N a = 5×1016 cm ?3 Si: Vbi = 0.778 V Ge: Vbi = 0.396 V GaAs: Vbi = 1.25 V (c) N d = 1017 cm ?3 , N a = 1017 cm ?3 Si: Vbi = 0.814 V Ge: Vbi = 0.432 V GaAs: Vbi = 1.28 V _______________________________________ 7.3 (a) Silicon ( T = 300 K) ( )Vbi = (0.0259)ln?? N a N d ?? 1.5×1010 ? ? 2 ?? For N a = N d = 1014 cm ?3 ; Vbi = 0.4561 V = 1015 ; = 0.5754 V = 1016 ; = 0.6946 V = 1017 ; (b) GaAs ( T = 300 K) = 0.8139 V ( )Vbi = (0.0259)ln?? N a N d ?? 1.8×106 ? ? 2 ?? For N a = N d = 1014 cm ?3 ; Vbi = 0.9237 V = 1015 ; = 1.043 V = 1016 ; = 1.162 V = 1017 ; = 1.282 V (c) Silicon (400 K), kT = 0.034533 ni = 2.38×1012 cm ?3 1 Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 4th edition Chapter 7 By D. A. Neamen Problem Solutions ______________________________________________________________________________________ For N a = N d = 1014 cm ?3 ; Vbi = 0.2582 V Vbi = Vt ln???? NaN ni2 d ???? = 1015 ; = 0.4172 V (( )( ) )= (0.0259)ln ? ? ?? 1017 1.5 5 ×1015 ×1010 2 ? ? ??