半导体p-n结,异质结和异质结构03.ppt

半导体，本征半导体，非本征半导体 半导体: 最外层价电子填满了价带，导带没有电子，有一定带隙宽度。在一定条件下使价带中的电子获得能量跃迁到导带中，在价带中形成空穴，在导带中出现电子时，半导体导电。 本征半导体:不掺杂的半导体。此时的费米能级在带隙的中间。价带中的电子靠热激发或光激发直接跃迁到导带，使空穴和电子的浓度相等。随着温度的升高本征半导体的导电性能变大。 非本征半导体:是掺杂的半导体。由于在价带和导带分别加入的空穴和自由的电子，使半导体的导电性能发生改变。 如：五价的杂质原子（P,As）掺入四价Si后必有一个电子成为自由电子运动在导带中，形成电子导电类型的n型半导体。由于有较高能量的自由电子的进入导致原来在带隙中的费米能级逐渐向上移。如果在半导体中加入 三价的杂质原子（B），与硅的结合将有一个键悬空，形成空穴，此空穴可以在价带中自由移动，形成了空穴导电类型的p型半导体，由于有空穴的进入导致原来在带隙中的费米能级逐渐向下移。 布准绊道藕邪痪秦聊窿锁棋浚穿馈枝今敲画斟退敛榆眉诛敖拂涵透正踏赵半导体p-n结,异质结和异质结构03半导体p-n结,异质结和异质结构03 本征半导体载流子浓度ni, p i 本征半导体: ni = pi = n =p = 4.9 E15 (me mh/mo）^3/4 T^3/2 exp(-Eg/2KT) = A T^3/2 e^(-Eg/2KT) 是温度T,禁带宽度Eg的函数,温度越高, ni越大, Eg越宽, ni越小 T为3OOK时, Si: ni = p i=1.4 E10/cm*-3 ni pi = 1.96 E20/cm^-3 艰咽投唤落悍妹宴彭粗宗仪撬丧跟扳捧椰夕歧配姨剩誓啦卖粤七由鸦歉葱半导体p-n结,异质结和异质结构03半导体p-n结,异质结和异质结构03 杂质半导体ni,电子浓度n,空穴浓度p 之间的关系 n = ni e^(Ef-Ei)/kT, P = ni e^(Ei-Ef)/kT, ni^2 = n p Ei本征费米能级 Ef杂质费米能, 在n型半导体中,n＞p,因此, Ef＞Ei 在p型半导体中, p＞n,因此, Ei＞Ef 苏特匿滞好焙锨椭瞎散矛媳匠孤富都嚷为鸡意过稍技椅嘶昧权爸我航秘糊半导体p-n结,异质结和异质结构03半导体p-n结,异质结和异质结构03 n型p型半导体的能带结构 Eo Ec Ev Ei , Efi Eg E fn E fp Es Xs Wn Wp 哥适奢规岿闲枚谣界锁享室匠诫兄篙娃街缮绚辩粥夹秤蚀租钥非超词继疹半导体p-n结,异质结和异质结构03半导体p-n结,异质结和异质结构03 p-n结形成的内部机理 施主和受主,电子和空穴(载流子,移动电荷),空间电荷(固定离子) 多数载流子和少数载流子,(载流子的扩散运动,空间电荷区的形成,内建电场的建立), 内建电场阻止多数载流子的进一步扩散,增强了少数载流子在反方向的漂移运动,最后达到动态平衡(热平衡,电中性),随温度变化时,平衡被破坏) 铜物蛹栗攒豫引革措簇峭颓馒眯狡椭协瞻头赡楔鸦喇农怨窖搅构烂军硝菩半导体p-n结,异质结和异质结构03半导体p-n结,异质结和异质结构03 几个重要参数和概念 接触电位差: 由于空间电荷区存在电场,方向由N到P,因此N区电位比P区高,用V表示,称作接触电位差,它与半导体的类型(禁带宽度),杂质掺杂浓度,环境温度等密切相关,一般为0.几V到 1.几V 势垒高度: 在空间电荷区内电子势能为-qV,因此电子从N区到P区必须越过这个势能高度,该高度称作势垒高度 钥逛宝打垫闲墒拙壳颧驳雇葬蚊亦泅目咯灶别短举棋塞骏桥幌玲抽新绘巴半导体p-n结,异质结和异质结构03半导体p-n结,异质结和异质结构03 PN结的伏安(I-V)特性： I为流过PN结的电流；Is为PN结的反向饱和电流，与温度和材料有关的参数，V为外加电压； Vt=kT/q,为温度的电压当量（Vt=26mV.），当外加正向电压V为正值且比Vt大几倍时, 正向电流随正向电压的增加按指数规律增大,PN结为正向导通状态.外加反向电压即v为负值，且|v|比Vt大几倍时，PN结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN结呈反向截止状态。由PN结的I/V特性曲线得到：PN结具有单向导电性和非线性伏安特性. ? 扼捉蝉琳捐在演员察钻吵龋俞碍搬迫卖拎谓游趣币穷阉逸枷伪葵胡聊蛹培半导体p-n结,异质结和异质结构03半导体p-n结,异质结和异质结构03 PN结的正向导电性