第1章半导体器件2010xin.ppt

第1章 半导体器件 1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 晶体管 1.4 场效应管 1.1.1 什么是半导体 自然界物质按导电能力分类： 导体：导电能力最强，电解液，碳，金属，金属元素价电子数少于4个 绝缘体：导电能力最弱，橡胶，石英，价电子数8个 半导体：导电能力介于二者之间，价电子数4个 常用的半导体材料有： 元素半导体：硅（Si）、锗（Ge） 化合物半导体：砷化镓（GaAs） 半导体导电的两个方面 自由电子的运动 束缚电子的运动 空穴 直接描述束缚电子的运动不太方便 用我们假想的（自然界不存在的）、带正电的、与束缚电子反方向运动的那么一种粒子来描述束缚电子的运动比较方便，这种粒子起名叫做“空穴” 半导体中的载流子 自由电子 空穴 一、直流模型 1、直流理想模型 2、直流恒压降模型 3、直流折线模型 4、直流指数模型 解题思路 1、将二极管从电路中拿走，在此电路的基础上求两个二极管的阳极和阴极之间的电位差 2、两个二极管的阳极和阴极之间的电位差共有三种情况： 1）均小于0 2）均大于0 3）一个为正，另一个为负 3、根据不同的情况做出判断： 1）均小于0 ：立即得出结论，两个二极管均截止 2）均大于0：这其中会有一大一小，可以得出结论，大的那个二极管一定导通，小的那个状态不定，需要做进一步的判断。大的那个二极管导通后用理想的导线代替，这时整个电路就转化成了只有一个二极管的电路，按照例3的方法继续判断，从而得出最后的结论。 3）一个为正，另一个为负：正的那个二极管一定导通，负的那个状态不定，需要做进一步的判断。正的那个二极管导通后用理想的导线代替，这时整个电路就转化成了只有一个二极管的电路，按照例3的方法继续判断，从而得出最后的结论。 NPN共射输入特性曲线的特点描述 （1）当vCE=0V时，相当于正向偏置的两个二极管并联，所以与PN结的正向特性相似 （2） vCE≥1V的特性曲线比vCE=0V的右移。原因： vCE≥1V时集电结反偏，集电结吸引自由电子的能力增强，从发射区注入的自由电子更多地流向集电区，对应于相同的vBE （即发射区发射的自由电子数一定） ，流向基极的电流减小，曲线右移 （3） vCE1V与vCE=1V的曲线非常接近，可以近似认为重合 （4）有一段死区 （5）非线性特性 （6）温度上升，曲线左移 （7）陡峭上升部分可以近似认为是直线，即iB与vBE成正比，线性区 （8）放大状态时，NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V NPN共射输出特性曲线的特点描述 截止区: 的区域:三个电极上的电流为0,发射结和集电结均反偏,相当于开关打开,在数字电路中作为开关元件的一个状态。 有关三个区的几个简单结论 截止区: 三极管的三个电极所在的支路中的电流为0,任意两个极之间的电压是多少，决定于外电路，满足电路方程。 饱和区： NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V，没有?，三极管的三个电极所在的支路中的电流决定于外电路，满足电路方程。 放大区：NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V， 有?，三极管的三个电极所在的支路中的电流决定于外电路，满足电路方程。 如何改变三极管的状态 只要改变iB和IBS的比较关系即可 保持IBS不变，通过改变Rb可改变iB 或保持iB 不变，通过改变RC可改变IBS 场效应管的用途 场效应管又叫做单极型三极管，共有三种用途： 一是当作压控可变电阻，即非线性电阻来使用； 二是当作电压控制器件用来组成放大电路； 三是在数字电路中用做开关元件。 双极型三极管只有两种用途： 一是当作电流控制器件用来组成放大电路； 二是在数字电路中用做开关元件。 1.4.1 结型场效应管 2、结型场效应管（JFET)的工作原理 按照如下的思路来讲解： （1）电压源VGS和电压源VDS都不起作用，电压值均为0； （2）只有电压源VGS起作用，电压源VDS的电压值为0； （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为0； （4）电压源VGS和电压源VDS同时起作用。 1.4.2 绝缘栅场效应管 增强型MOS场效应管 一 N沟道增强型MOS场效应管结构 二 N沟道增强型MOS的工作原理 三 N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 按照如下的思路来讲解： （1）电压源VGS和电压源VDS都不起作用，电压值均为0； （2）只有电压源VGS起作用，电压源VDS的电压值为0； （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为0； （4）电压源VGS和电压源VDS同时起作用。 耗尽型MOS