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场效应晶体管(FET) 电压控制器件 多子导电 输入阻抗高,噪声低,热稳定好,抗辐射,工艺简单,便于集成,…应用广泛 * * 晶体管及其小信号放大 －场效应管放大电路 §4 场效应晶体管及场效应管放大电路 §4.1 场效应晶体管(FET) N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 IGFET 绝缘栅型 一、结构 § 4.1.1 结型场效应管 栅极 漏极 源极 N沟道 利用PN结反向电压对耗尽层宽度的控制来 改变导电沟道的宽度,从而控制通过的电流 UGS 二、工作原理（以N沟道为例） 正常工作: UGS=0, UDS0V PN结反偏，|UGS|越大则耗尽层越宽，导电沟道越窄，电阻越大。 ID 初始就有沟道， 是耗尽型。 ID受UGS 和UDS的控制 UGS UDS0但较小: ID ID随UDS的增加而线性上升。(UGS固定) N G S D UGS P P UGS负到一定值时,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID 夹断电压 UGS ,但UDS增加到 UGS - ,即 UGD= UGS – UDS = 靠近漏极的沟道夹断. 预夹断 UDS增大则被夹断区向下延伸。此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID= IDSS ID 三、特性曲线和电流方程 2. 转移特性 1. 输出特性 夹断区 （饱和区） UGD= 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 最常见的绝缘栅型场效应管是MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 § 4.1.2 绝缘栅场效应管（ IGFET) 一 N沟道增强型MOSFET 1 结构 2 工作原理 (1) VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 (2) VGS VGS（th)0时，形成导电沟道 反型层 VGS越大， 沟道越宽， 电阻越小。 (3) VGS VGS（th)0时， VDS0 VGD=VGS－VDS ＝ VGS（th)时发生预夹断 VDS较小时， ID随之线性上升 VDS稍大后，产生横向电位梯度 出现预夹断后，随着VDS继续增大，夹断点向源极方向移动， ID略有增加 输出特性曲线 ID=f(VDS)?VGS=const （饱和区） 夹断区 3 N沟道增强型MOS管的特性曲线 VGD=VGS（th) 转移特性曲线 ID=f(VGS)?VDS=const VGS（th) 即 时的值 二 N沟道耗尽型MOSFET 正离子 VGS为正 沟道加宽 VGS为负 沟道变窄 夹断电压 使用方便 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 转移特性曲线 P沟道MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 2.2.5 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型（耗尽型）N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S一般可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压