第二章传感器的构成.pptVIP

光纤的集光能力与什么有关？ 光纤的模场直径大，其数值孔径也大吗？为什么？ 给出数值孔径的推导。 光纤水听器简图 光纤陀螺简图 光纤陀螺原理 光纤传感器的构成 各大器件的互连 光源的选择 探测器的选择 评价光纤活动连接器的指标 插入损耗（Insertion Loss） 回波损耗(Return Loss, Reflection Loss) 重复性 互换性 使用寿命（插拔次数） 温度性能 光纤连接器一般性能 回波对干涉型光纤传感器的影响 如何消除回波误差 光源的选择 空间相干性 时间相干性 光源的参数 光敏电阻演示 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 光电效应 光电子发射效应 光电导效应 光生伏特效应 光电磁效应 半导体光电探测器 PIN光电二极管 雪崩式光电二极管（APD） PIN－FET混合微型组件 光导体 APD的结构 耦合光功率 耦合光功率P2跟以下参数有关： 拉伸区长度2L+W 拉伸区内逐渐变小的光纤半径r 耦合区中两根光纤的半径差Dr 总拉伸长度 光约束在 纤芯中传播 光纤半径减小 V明显减小 部分光在 纤芯外传播 发生耦合 P3 P1 P2 P0 光输入 后向反(散)射光 直通功率 耦合功率 火焰宽度决定 拉伸时决定 耦合器的性能从以下几个方面来描述： (1) 耦合比 表示由输入信道i耦合到指定输出信道j的功率大小。定义为Tij=Pj/Pi (2) 附加损耗 表示由耦合器带来的总损耗，定义为输出信道功率之和与输入功率之比， (3) 信道插入损耗 表示由输入信道i至指定信道j的损耗，定义为， (4) 隔离比 表示透射式耦合器中同侧端口之间的隔离程度，定义为由非指定输出信道k测得的功率Pk与输入信道i功率Pi之比，以分贝表示为 (5) 回波损耗 表示由输入信道返回功率的大小，定义为信道返回功率Pi’与输入功率Pi之比， 有用信号 噪声信号 A B C 空间相干性 时间相干性 D1 D2 M4 M3 M2 M1 光探测器的原理 光探测器是将光能转换为其他能量的换能器 光探测器 温差电探测器 光电探测器 热电探测器 热释电探测器 热敏电阻探测器 无光谱选择 响应慢 外光电效应 内光电效应 暗电流（越小越好） 光子能量 光电子动能 材料逸出功 截止频率 光电子发射效应 υ＜υc 无光电子产生 υ≥υc 有光电子产生 光纤系统转换器与元件连接 二、光电导效应 当光照射在某些半导体材料时，若透入内部的光子能量足够大，则某些电子吸收光子能量，从原来的束缚状态变成导电的自由态。这时在外电场作用下流过半导体的电流会增大，即半导体的电导增大，这种现象称为光电导效应。 λ0=hc/Eg λ0=hc/Ei 光纤系统转换器与元件连接 三、光生伏特效应 在无光照射时，PN结内存在内部电场E。当光照射在PN结及附近时，若光子的能量足够大，则在结区及其附近产生少数载流子（电子空穴对）。它们在结区外时，靠扩散进入结区，它们在结区内时，电子则在外电场E作用下漂移到N区，空穴漂移到P区。结果，N区带负电荷，P区带正电荷，产生附加电动势。 光纤系统转换器与元件连接 四、光电磁效应 将半导体样品置于强磁场中，用激光辐射线垂直照射表面。当光子能量足够大时，在表面层内激发出光生载流子-电子空穴对，并在样品表面和体内形成载流子浓度梯度，于是光生载流子向体内扩散。在扩散过程中，由于磁场产生的洛仑兹力的作用，电子和空穴偏向样品两端，产生电荷积累，这就是光电磁效应。 PN结 耗尽层 内建电场 VCC 当PN结两端加上反向偏置电压时，耗尽区加宽，势垒加强。 光电二极管的工作原理 当光照射到光电二极管的光敏面上时，能量大于或等于带隙能量Eg的光子将激励价带上的电子吸收光子的能量而跃迁到导带上，可以产生自由电子-空穴对（称为光生载流子）。电子-空穴对在反向偏置的外电场作用下立即分开并在结区中向两端流动，从而在外电路中形成电流（光电流）。 透光区中，光线先经过P+层，再进入I区(本征区)，最后到N+基片。一般I区约有10μm。 PIN光电检测器的结构 P + N + I 入射光 电极 电极 E 抗反射膜 光纤系统转换器与元件连接 一、PIN光电二级管 设计本征区宽度的原则是，要使二极管在使用波长上对入射光的实际吸收量最大。只有在接触区内光子产生的电子-空穴对才对探测电流有作用。 在频带边缘附近的波长范围内，半导体吸收系数随波长变化迅速。本征区合适的宽度为10-30μm，由此或推知，硅光电二极管在0.8-0.9μm波段的光电转换效率最高。在较短波段上