第十章 半导体存储器.pptVIP

第 十章　半导体存储器 10.1　概　述 10.2　顺序存取存储器（SAM） 10.3　只读存储器 10.3.1 ROM 的类型及其特点 10.3.2 ROM 的结构和工作原理 10.3.3 、集成 EPROM 举例 10.3.4 用 PROM 实现组合逻辑函数 10.5 随机存取存储器 10.5.1 RAM 的结构、类型和工作原理 10.5.2 集成 RAM 举例 本 章 小 结 用PROM实现二进制码到循环码的转换 1 1 ≥1 A3 A2 W0 W1 W2 W3 G3 G2 G1 G0 ( a ) 未编程的16×4位PROM 1 1 A1 A0 ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● Y3 Y2 Y1 Y0 W4 W5 W6 W7 W8 W9 W10 W11 W12 W13 W14 W15 × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × ≥1 ≥1 ≥1 ( b ) 编程后的或阵列 ≥1 W0 W1 W2 W3 G3 G2 G1 G0 Y3 Y2 Y1 Y0 W4 W5 W6 W7 W8 W9 W10 W11 W12 W13 W14 W15 × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × ≥1 ≥1 ≥1 10.4 快闪存储器 快闪存储器(Flash Memory)，简称闪存。它具有EPROM的结构简单、编程可靠的优点，同时又具有E2PROM的在电路中电擦除特性，与E2PROM相比较，集成度有较大幅度的提高。 快闪存储器中的叠栅MOS管和符号 快闪存储器的存储单元 快闪存储器的两种构造形式 NAND闪存的应用主要集中在大容量闪存盘(U盘)的制造方面 NOR闪存主要用来存储程序代码等必须直接按照实际物理地址访问的信息，容量在16MB以下 主要要求： 了解 RAM 的类型、结构和工作原理。 了解集成 RAM 的使用。 了解 RAM 和 ROM 的异同。 掌握 RAM 的扩展方法。 地址译码器 存储矩阵 读/ 写控制电路 2n ? m RAM 的结构图 A0 A0 An-1 … … … I/O0 I/O1 I/Om-1 R/W CS 10.5.1 RAM 的结构、类型和工作原理 　　１．存储矩阵 　　将存储单元按阵列形式排列，形成存储矩阵。 　　２．地址译码器 　　为了区别不同的字，将存放在同一个字的存储单元编为一组，并赋予一个号码，称为地址。地址的选择是借助于地址译码器来完成的。 　　地址码的位数n与可寻址数N之间的关系为：N=2n。 　　３．片选与读/写控制电路（I/O电路） 　　RAM主要由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路（I/O电路）三部分组成。 256×1位RAM示意图 X地址译码器 Y 地址译码器 1,1 A0 A1 A2 A3 X0(行) X15 T0 T0 T15 Y0 (列) ? ? ? Y15 A4 A5 A6 A7 位线 行 存储矩阵 I/O电路 G1 D G4 G5 G2 I/O R/W D 1 EN CS 16,1 列 1,16 T15 位线 16,16 1 EN 1 EN G3 ? ? ? ? RAM 与 ROM 的比较 相同处 ★ 都含有地址译码器和存储矩阵 ★ 寻址原理相同 相异处 ★ ROM 的存储矩阵是或阵列，是组合逻辑电路。 ROM 工作时只能读出不能写入。掉电后数据 不会丢失。 ★ RAM 的存储矩阵由触发器或动态存储单元构 成， 是时序逻辑电路。RAM 工作时能读出， 也能写入。读或写由读 / 写控制电路进行控制。 RAM 掉电后数据将丢失。 RAM 分类 静态 RAM(即 Static RAM，简称 SRAM) 动态 RAM(即 Dynamic RAM，简称 DRAM) 　　DRAM 存储单元结构简单，集成度高，价格便宜，广泛地用于计算机中，但速度较慢，且需要刷新及读出放大器等外围电路。