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- 2017-02-23 发布于上海
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第讲绝缘的非破坏性试验一
4.2 介质损耗角正切的测量 与绝缘电阻的测量相比,介质损耗因数是表征绝缘功率损耗大小的特征参数,与绝缘的体积大小无关。 tgδ在反映集中缺陷时不灵敏,测tgδ法适合检测分布性的绝缘缺陷。 4.2.1 可检测的缺陷种类 4.2.2测量原理 一、西林电桥 高压臂: 代表试品的Zx; 无损耗的标准电容CN 低压臂: 处在桥箱体内的可调无感电阻R3(Z3); 无感电阻R4和可调电容C4的并联(Z4) 电桥平衡:检流计G检零 保护:放电管 西林电桥的基本回路 电桥的平衡条件: ω=2πf=100π tgδ=ωR4C4=KC4×106 式中C4的单位是F,若C4以μF计则可得到 tgδ=KC4 式中 K的单位为F-1。 二、影响测量准确度的因素 1、外界电磁场的干扰 (1)杂散电容:高压引线与低压臂之间有电场的影响,可以看作其间有杂散电容Cs。由于低压臂的电位很低,Cx和CN的电容量很小,如CN一般只有50?100pF,杂散电容Cs的引入,会产生测量误差。若附近另有高压源,其间的杂散电容Cs会引入干扰电流iS,也会造成测量误差。 还有外界高压电源的干扰 (2)电场干扰:杂散电容导致的干扰电流 (3)磁场干扰:电桥接线内感应干扰电势,影响
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