第1章常用半导体器件.ppt

第1章 半导体二极管及其基本电路 1.1 半导体的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 二极管基本电路及其分析方法 1.4 特殊二极管 漂移运动：两种载流子（电子和空穴）在电场的作用下产生的运动。其运动产生的电流方向一致。 扩散运动：由于载流子浓度的差异，而形成浓度高的区域向浓度低的区域扩散，产生扩散运动。 2 PN结的单向导电性 PN 结加反向电压（反向偏置） 二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 1.3 二极管基本电路及其分析方法 1.3.1 二极管的等效电路 1.3.2 二极管电路模型分析法 三、二极管的等效电路1、将伏安特性折线化 1.4.1 稳压二极管 硅稳压管伏安特性 稳压管工作在反向电击穿区 UZ稳定电压(IW = IWmin- IWmax) IW稳定电流 电击穿-可恢复 热击穿-不可恢复 例题：求IZ？并计算R值是否合适？ 解： IZ=（20-12）/（1.6×103） =5×10-3A =5mA 因为IZIZM 所以R电阻值合适 理想二极管 1.4.2 其他类型的二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管 典型题解 小结 PN结是半导体的重要组成部分 二极管的伏安特性曲线用于分析二极管的工作原理 稳压二极管是一种特殊的二极管 二极管电路的分析，主要采用模型分析法，一般采用恒压降模型，信号很小时，采用小信号模型。 (1) 正向特性 硅二极管的死区电压Uth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Uth=0.1 V左右。 当0＜u＜Uth时，正向电流为零，Uth称为死区电压或开启电压。 当u＞0即处于正向特性区域。 正向区又分为两段： 当u＞Uth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 (2) 反向特性 当u＜0时，即处于反向特性区域。 反向区也分两个区域： 当UBR＜u＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当u=UBR时，反向电流急剧增加，UBR称为反向击穿电压 。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 从击穿的机理上看，硅二极管若|UBR|≥7V时, 主要是雪崩击穿；若|UBR|≤4V时, 则主要是齐纳击 穿。当在4V～7V之间两种击穿都有，有可能获得 零温度系数点。 2、伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 1.2.3 半导体二极管的参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下： (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压UBR——— 和最大反向工作电压UR 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 UR一般只按反向击穿电压 UBR的一半计算。 (3) 反向电流IR (4) 正向压降UF (5) 动态电阻rd 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =?UF /?IF 结电容为扩散电容与势垒电容之和。 扩散路程中电荷的积累与释放 空间电荷区宽窄的变化有电荷的积累与释放 1.3.1 半导体二极管的等效模型 线性化：用线性电路的方法来处理，将非线性器件用恰当的元件进行等效，建立相应的模型。 （1）理想二极管模型：相当于一个理想开关，正 偏时二极管导通管压降为0V，反偏时电阻无穷大，电流为零。 （2）理想二极管串联恒压降模型：二极管导通后，