7.光电传感器.ppt

CCD图像传感器 CCD（Charge Coupled Device）图像传感器由CCD电荷耦合器件制成，是固态图像传感器的一种，是贝尔实验室的W.S.Boyle和G.E.Smith于1970年发明的新型半导体传感器。 它是在MOS集成电路基础上发展起来的，能进行图像信息光电转换、存储、延时和按顺序传送。 它的集成度高、功耗小、结构简单、耐冲击、寿命长、性能稳定，因而被广泛应用。 每一个MOS电容器实际上就是一个光敏元件。 当光照射到MOS电容器的P型硅衬底上时，会产生电子空穴对（光生电荷），电子被栅极吸引存储在陷阱中。入射光强，则光生电荷多，入射光弱，则光生电荷少。 无光照的MOS电容器则无光生电荷。 若停止光照，由于陷阱的作用，电荷在一定时间内也不会消失，可实现对光照的记忆。MOS电容器可以被设计成线阵或面阵。一维的线阵接收一条光线的照射。二维的面阵接收一个平面的光线的照射。 MOS电容器实质上是一种光敏元件与移位寄存器合而为一的结构，称为光积蓄式结构，这种结构最简单。 但是因光生电荷的积蓄时间比转移时间长得多，所以再生图像往往产生“拖尾”，图像容易模糊不清。 另外，直接采用MOS电容器感光虽然有不少优点，但它对蓝光的透过率差，灵敏度低。 现在更多地在CCD图像传感器上使用的是光敏元件与移位寄存器分离式的结构，如图5-3所示。 2 CMOS 图像传感器 CMOS图像传感器是按一定规律排列的互补型金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET）组成的阵列。 CMOS型光电转换器件 CMOS型放大器：以增强型NMOS场效应管V1作为共源放大管，以增强型PMOS场效应管V2、V3构成的镜像电流源作为有源负载，就构成了CMOS型放大器。 与CMOS型放大器源极相连的P型半导体衬底充当光电变换器的感光部分。 当CMOS型放大器的栅源电压uGS=0时，CMOS型放大器处于关闭状态，即iD=0。 当积蓄过程结束，栅源之间加上开启电压时，源极通过漏极负载电阻对外接电容充电形成电流即为光信号转换为电信号的输出。 CMOS图像传感器 利用CMOS型光电变换器件可以做成CMOS图像传感器。 由CMOS衬底直接受光信号照射产生并积蓄光生电荷的方式不大采用。 现在更多地采用光敏元件与CMOS型放大器分离式的结构。 CMOS线型图像传感器由光敏二极管和CMOS型放大器阵列以及扫描电路集成在一块芯片上制成。 一个光敏二极管和一个CMOS型放大器组成一个像素。光敏二极管阵列在受到光照时，便产生相应于入射光量的电荷。 扫描电路以时钟脉冲的时间间隔轮流给CMOS型放大器阵列的各个栅极加上电压，CMOS型放大器轮流进入放大状态，将光敏二极管阵列产生的光生电荷放大输出。 CMOS面型图像传感器则是由光敏二极管和CMOS型放大器组成的二维像素矩阵，并分别设有X－Y水平与垂直选址扫描电路。 水平与垂直选址扫描电路发出的扫描脉冲电压，由左到右，由上到下，分别使各个像素的CMOS型放大器处于放大状态。 二维像素矩阵面上各个像素的光敏二极管光生和积蓄的电荷依次放大输出。 CMOS图像传感器的应用 CMOS图像传感器与CCD图像传感器一样，可用于自动控制、自动测量、摄影摄像、图像识别等各个领域。 CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电。 CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右。 CMOS图像传感器用于数码相机有助于改善人们心目中数码相机是“电老虎”的不良印象。 CCD和CMOS比较 CCD传感器在灵敏度、分辨率、噪声控制等方面都优于CMOS传感器，而CMOS传感器则具有低成本、低功耗、以及高整合度的特点。 不过，随着CCD与CMOS传感器技术的进步，两者的差异有逐渐缩小的态势，例如，CCD传感器一直在功耗上作改进，以应用于移动通信市场；CMOS传感器则在改善分辨率与灵敏度方面的不足，以应用于更高端的图像产品。 1. CCD图像传感器 CCD具有噪声低、质量轻、成像精度高和可低电压驱动等优点，目前已广泛应用于微光电视摄像、信息存储、图像处理、自动控制和机器人等领域。 CCD电荷耦合器件是按一定规律排列的MOS（金属—氧化物—半导体）电容器组成的阵列。 CCD由基本电荷耦合单元组成，它是在P型(或N型)硅衬底上生长一层厚度约为120nm的SiO2 ，再在Si02层上依次沉积铝电极而构成电容式转移器。将MOS阵列加上输入、输出端,便构成了CCD。 CCD的基本电荷耦合单元示意图 景物 CCD 面阵 存储 显示 透镜 滤光片 放大器 图5-2 面阵MOS电容器的光电转换 电荷定向转移过程 实现电荷定向转移的条件是：连续地按一定时间间隔依次偏置栅极，当正