刘婕模电复习大纲刘婕模电复大纲习大纲.ppt

* 模拟电子技术基础 复习大纲 高等教育出版社 康华光 第三章 1、理解半导体中有两种载流子 电子 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后， 共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴 2、理解 N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子，但半导体呈中性 P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子，但半导体呈中性 少数载流子是由电子—空穴对产生而来， 3、熟练掌握PN结 形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空 间电荷区， 又由于空间电荷区的内电场作用， 存在漂移运动 单向导电性 —— 不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0 加正电压，扩散运动漂移运动形成iD 加反向电压，扩散运动为0，只有很小的漂 移运动 形成反向电流 特性方程：iD=IS（eVo/VT-1） 特性曲线 4、理解二极管 单向导电性、特性方程及曲线与PN结相同 主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、 极间电容、最高工作频率 分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型、 5、特殊二极管——稳压管（应反向连接） 反向偏置 且VI＞VZ 稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，从而使输出稳定 参数：VZ、IZ、PZM、rZ 第四章 1、理解半导体三极管 电流控制器件 iC=βiB iE=(1+β) iB 特性曲线 输入： 饱和区：发射结、集电结均正偏， VBE=0.7V, VCES=0.3V 输出： 放大区:发一正,集一反, VBE=0.7遵循iC=βiB 截止区: 发射结、集电结均反偏 VBE＜0.5V 时已进入截止区 参数：集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功耗 PCM 2、理解放大和放大电路的性能指标 (放大倍数、输入、输出电阻,最大电压输出幅度） 3、三种组态及特性 共射极 ——射极为输入输出的公共端 共基极 —— 基极为输入输出的公共端 共集电极 ——集电极为输入输出的公共端 重点掌握单管共射放大电路(包括分压式和射极偏置) 电路的组成和工作原理, 4、熟练掌握用估算法求电路的静态工作点Q 了解图解法 求Q点 直流负载线 交流负载线 分析非线性失真 饱和失真 静态点过高 截止失真 静态点过低 信号过大 增益过大引起的失真 确定最大输出电压幅度VOm(交流负载线) 5、熟练掌握共射、共集、共基放大电路的工作原理,静态工作点及AV、Ri、R0的计算及复合管的作用 注意有Re 时AV的计算 第五章 1、能够熟练根据转移特性判别场效应管的类型 结型场效应管 N型：VGS＜0 VDS＞0夹断电压VP＜0 P型：VGS＞0 VGS＜0夹断电压VP＞0 增强型MOS管 N型：VGS＞0 VDS＞O开启电压VT＞0 P型：VGS＜0 VGS＜O开启电压VT＜0 耗尽型MOS管 N型 VP＜0 VDS＞0 P型 VP＞0 VDS＜0 VGS可正、可负、可0 2、场效应电路的分析 与三